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HMBT4124 PDF预览

HMBT4124

更新时间： 2024-09-24 22:33:35
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HSMC 晶体晶体管局域网
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3页 31K
描述
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

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HMBT4124 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
最大集电极电流 (IC)：0.2 A配置：Single
最小直流电流增益 (hFE)：60最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.225 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
标称过渡频率 (fT)：300 MHzBase Number Matches：1

HMBT4124 数据手册

 浏览型号HMBT4124的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HMBT4124的Datasheet PDF文件第3页 
Spec. No. : HE6859  
Issued Date : 1998.02.01  
Revised Date : 2001.10.25  
Page No. : 1/3  
HI-SINCERITY  
MICROELECTRONICS CORP.  
HMBT4124  
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR  
Description  
The HMBT4124 is designed for general purpose switching and  
amplifier applications.  
SOT-23  
Absolute Maximum Ratings  
• Maximum Temperatures  
Storage Temperature ........................................................................................... -55 ~ +150 °C  
Junction Temperature.................................................................................................... +150 °C  
• Maximum Power Dissipation  
Total Power Dissipation (Ta=25°C) ............................................................................... 225 mW  
• Maximum Voltages and Currents (Ta=25°C)  
VCBO Collector to Base Voltage......................................................................................... 30 V  
VCEO Collector to Emitter Voltage...................................................................................... 25 V  
VEBO Emitter to Base Voltage.............................................................................................. 5 V  
IC Collector Current........................................................................................................ 200 mA  
Characteristics (Ta=25°C)  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Test Conditions  
IC=10uA, IE=0  
IC=1mA, IB=0  
IE=10uA, IC=0  
VCB=20V  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
ICBO  
30  
25  
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V
V
nA  
nA  
mV  
mV  
50  
50  
300  
950  
360  
-
IEBO  
VEB=3V  
*VCE(sat)  
*VBE(sat)  
*hFE1  
*hFE2  
fT  
-
-
IC=50mA, IB=5mA  
IC=50mA, IB=5mA  
VCE=1V, IC=2mA  
VCE=1V, IC=50mA  
VCE=20V, IC=10mA, f=1MHz  
VCB=5V, IE=0, f=1MHz  
120  
60  
300  
-
-
4
MHz  
pF  
Cob  
*Pulse Test: Pulse Width ≤380us, Duty Cycle≤2%  
HMBT4124  
HSMC Product Specification  
123

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