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HM67B3632FP1-12

更新时间: 2024-11-19 20:10:43
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
15页 346K
描述
Cache SRAM, 32KX36, 12ns, MOS, PQFP100, QFP-100

HM67B3632FP1-12 技术参数

生命周期:Transferred零件包装代码:QFP
包装说明:QFP,针数:100
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.65
最长访问时间:12 ns其他特性:BURST COUNTER; SELF TIMED WRITE CYCLE
JESD-30 代码:R-PQFP-G100长度:20 mm
内存密度:1179648 bit内存集成电路类型:CACHE SRAM
内存宽度:36功能数量:1
端子数量:100字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:32KX36封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:QFP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified座面最大高度:3.05 mm
最大供电电压 (Vsup):3.465 V最小供电电压 (Vsup):3.135 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:MOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.65 mm
端子位置:QUAD宽度:14 mm
Base Number Matches:1

HM67B3632FP1-12 数据手册

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