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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TSOP2 |
| 包装说明： | TSOP2, TSOP44,.46,32 | 针数： | 44 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.67 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 70 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-G44 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 18.41 mm |
| 内存密度： | 4194304 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 44 | 字数： | 262144 words |
| 字数代码： | 256000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 256KX16 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSOP2 |
| 封装等效代码： | TSOP44,.46,32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 最小待机电流： | 2 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.07 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 10.16 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HM62W16258BLTT-7SL | RENESAS |
获取价格 |
4 M SRAM (256-kword ´ 16-bit) |
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| HM62W16258BLTT-7SL | HITACHI |
获取价格 |
4 M SRAM (256-kword x 16-bit) |
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| HM62W16258BLTTI-7 | HITACHI |
获取价格 |
4 M SRAM (256-kword x 16-bit) |
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| HM62W16258BLTTI-7 | RENESAS |
获取价格 |
4 M SRAM (256-kword ´ 16-bit) |
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| HM62W16258BSERIES | ETC |
获取价格 |
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| HM62W1664HBJP25 | HITACHI |
获取价格 |
Cache SRAM, 64KX16, 25ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SO-44 |
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| HM62W1664HBJP-25 | ETC |
获取价格 |
x16 SRAM |
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| HM62W1664HBJP30 | HITACHI |
获取价格 |
Cache SRAM, 64KX16, 30ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SO-44 |
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| HM62W1664HBJP-30 | HITACHI |
获取价格 |
IC,SRAM,64KX16,CMOS,SOJ,44PIN,PLASTIC |
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| HM62W1664HBLJP-25 | ETC |
获取价格 |
x16 SRAM |
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