是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TSOP2 |
包装说明: | TSOP2, TSOP44,.46,32 | 针数: | 44 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.67 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 70 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-G44 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 18.41 mm |
内存密度: | 4194304 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 16 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 44 | 字数: | 262144 words |
字数代码: | 256000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 256KX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP2 |
封装等效代码: | TSOP44,.46,32 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.2 mm |
最小待机电流: | 2 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.07 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 10.16 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HM62W16258BLTT-7SL | RENESAS |
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4 M SRAM (256-kword ´ 16-bit) | |
HM62W16258BLTT-7SL | HITACHI |
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4 M SRAM (256-kword x 16-bit) | |
HM62W16258BLTTI-7 | HITACHI |
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4 M SRAM (256-kword x 16-bit) | |
HM62W16258BLTTI-7 | RENESAS |
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4 M SRAM (256-kword ´ 16-bit) | |
HM62W16258BSERIES | ETC |
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||
HM62W1664HBJP25 | HITACHI |
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Cache SRAM, 64KX16, 25ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SO-44 | |
HM62W1664HBJP-25 | ETC |
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x16 SRAM | |
HM62W1664HBJP30 | HITACHI |
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Cache SRAM, 64KX16, 30ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SO-44 | |
HM62W1664HBJP-30 | HITACHI |
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IC,SRAM,64KX16,CMOS,SOJ,44PIN,PLASTIC | |
HM62W1664HBLJP-25 | ETC |
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x16 SRAM |