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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSOP1 |
| 包装说明： | 8 X 13.40 MM, PLASTIC, TSOP1-32 | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.45 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 70 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-G32 |
| 长度： | 11.8 mm | 内存密度： | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 524288 words | 字数代码： | 512000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | -20 °C | 组织： | 512KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSSOP | 封装等效代码： | TSSOP32,.56,20 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 最大待机电流： | 0.00001 A | 最小待机电流： | 2 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.025 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | OTHER |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.5 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 8 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HM62V8512CLTT-5 | HITACHI |
获取价格 |
4 M SRAM (512-kword x 8-bit) |
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| HM62V8512CLTT-5 | RENESAS |
获取价格 |
4 M SRAM (512-kword ´ 8-bit) |
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| HM62V8512CLTT-5SL | HITACHI |
获取价格 |
4 M SRAM (512-kword x 8-bit) |
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| HM62V8512CLTT-5SL | RENESAS |
获取价格 |
4 M SRAM (512-kword ´ 8-bit) |
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| HM62V8512CLTT-7 | HITACHI |
获取价格 |
4 M SRAM (512-kword x 8-bit) |
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| HM62V8512CLTT-7SL | HITACHI |
获取价格 |
4 M SRAM (512-kword x 8-bit) |
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| HM62V8512CLTTI-7 | HITACHI |
获取价格 |
Wide Temperature Range Version4 M SRAM (512-kword x 8-bit) |
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| HM62V8512CLTTI-7 | RENESAS |
获取价格 |
Wide Temperature Range Version 4 M SRAM (512- |
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| HM62V8512CSERIES | ETC |
获取价格 |
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| HM62V8512CTS | RENESAS |
获取价格 |
4 M SRAM (512-kword ´ 8-bit) |
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