生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TSOP2 |
包装说明: | TSOP2, TSOP44,.46,32 | 针数: | 44 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.5 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 55 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-G44 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 18.41 mm |
内存密度: | 8388608 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 16 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 44 | 字数: | 524288 words |
字数代码: | 512000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 512KX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP2 |
封装等效代码: | TSOP44,.46,32 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.2 mm |
最大待机电流: | 0.00001 A | 最小待机电流: | 2.7 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.03 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 10.16 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HM62V16514LTTI-5SL#BT | RENESAS |
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512KX16 STANDARD SRAM, 55ns, PDSO44, 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-44 | |
HM62V16514LTTI-5SL-E | RENESAS |
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512K X 16 STANDARD SRAM, 55 ns, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44 | |
HM62V16514LTTI-5SLTR | RENESAS |
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IC,SRAM,512KX16,CMOS,TSOP,44PIN,PLASTIC | |
HM62V16514LTTI-7 | HITACHI |
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Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44 | |
HM62V16514LTTI-7SL | HITACHI |
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Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44 | |
HM62V256 | HITACHI |
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32,768-word ⅴ 8-bit Low Voltage Operation CMO | |
HM62V256LFP-10SLT | ETC |
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x8 SRAM | |
HM62V256LFP-10T | ETC |
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x8 SRAM | |
HM62V256LFP-7SLT | ETC |
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x8 SRAM | |
HM62V256LFP-8SLT | ETC |
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x8 SRAM |