是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | DIP, DIP22,.3 |
针数: | 22 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 4.53 | 最长访问时间: | 55 ns |
I/O 类型: | SEPARATE | JESD-30 代码: | R-PDIP-T22 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 27.08 mm |
内存密度: | 65536 bit | 内存集成电路类型: | CACHE SRAM |
内存宽度: | 1 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 22 | 字数: | 65536 words |
字数代码: | 64000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 64KX1 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP22,.3 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | SERIAL |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 5.08 mm | 最大待机电流: | 0.002 A |
最小待机电流: | 4.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.1 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 宽度: | 7.62 mm |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HM6287P-70 | HITACHI |
获取价格 |
65536-word x 1-bit Speed CMOS Static RMA |
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HM6287P-70 | RENESAS |
获取价格 |
64KX1 CACHE SRAM, 70ns, PDIP22, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-22 |
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HM6288JP-25 | ETC |
获取价格 |
x4 SRAM |
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HM6288JP-35 | ETC |
获取价格 |
x4 SRAM |
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HM6288JP-45 | ETC |
获取价格 |
x4 SRAM |
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HM6288LJP-25 | ETC |
获取价格 |
x4 SRAM |
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HM6288LJP-35 | ETC |
获取价格 |
x4 SRAM |
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HM6288LP-25 | ETC |
获取价格 |
x4 SRAM |
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HM6288LP-35 | ETC |
获取价格 |
x4 SRAM |
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HM6288LP-45 | ETC |
获取价格 |
x4 SRAM |
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