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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.64 |
| 最长访问时间： | 120 ns | 其他特性： | BATTERY BACKUP OPERATION |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T32 | 长度： | 41.9 mm |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 131072 words |
| 字数代码： | 128000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 128KX8 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 5.08 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 15.24 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HM628128P-7 | RENESAS |
获取价格 |
128KX8 STANDARD SRAM, 70ns, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 |
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| HM628128P-7 | HITACHI |
获取价格 |
131072-word x 8-bit High Speed CMOS Static RAM |
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| HM628128P-8 | RENESAS |
获取价格 |
128KX8 STANDARD SRAM, 85ns, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 |
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| HM628128P-8 | HITACHI |
获取价格 |
131072-word x 8-bit High Speed CMOS Static RAM |
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| HM628128PI-10 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
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| HM628128PI-12 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
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| HM628128PI-8 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
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| HM628128R-10 | HITACHI |
获取价格 |
131072-word x 8-bit High Speed CMOS Static RAM |
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| HM628128R-10 | RENESAS |
获取价格 |
128KX8 STANDARD SRAM, 100ns, PDSO32, 8 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, REVERSE, TSOP-32 |
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| HM628128R-12 | HITACHI |
获取价格 |
131072-word x 8-bit High Speed CMOS Static RAM |
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