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HM627HLP-35

更新时间: 2024-01-02 13:42:30
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瑞萨 - RENESAS 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 154K
描述
256KX1 STANDARD SRAM, 35ns, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24

HM627HLP-35 技术参数

生命周期:Transferred零件包装代码:DIP
包装说明:DIP,针数:24
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.64
最长访问时间:35 nsJESD-30 代码:R-PDIP-T24
长度:29.88 mm内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:1
功能数量:1端子数量:24
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:256KX1
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.08 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
宽度:7.62 mmBase Number Matches:1

HM627HLP-35 数据手册

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