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HM5425801BTT-10

更新时间： 2024-01-08 06:30:13

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尔必达 - ELPIDA		动态存储器双倍数据速率
页数	文件大小	规格书
65页	481K
描述
256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank

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HM5425801BTT-10 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2, TSSOP66,.46	针数：	66
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.24	风险等级：	5.63
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.8 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	125 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	2,4,8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G66	JESD-609代码：	e0
长度：	22.22 mm	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	66	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	32MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSSOP66,.46	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	2.5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	2,4,8
子类别：	DRAMs	最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

HM5425801BTT-10 数据手册

HM5425161B Series

HM5425801B Series

HM5425401B Series

256M SSTL_2 interface DDR SDRAM

143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz

4-Mword × 16-bit × 4-bank/8-Mword × 8-bit × 4-bank/

16-Mword × 4-bit × 4-bank

E0086H20 (Ver. 2.0)

Jan. 23, 2002

Description

The HM5425161B, the HM5425801B and the HM5425401B are the Double Data Rate (DDR) SDRAM

devices. Read and write operations are performed at the cross points of the CLK and the CLK. This high

speed data transfer is realized by the 2-bit prefetch piplined architecture. Data strobe (DQS) both for read and

write are available for high speed and reliable data bus design. By setting extended mode resistor, the on-chip

Delay Locked Loop (DLL) can be set enable or disable.

Features

•

2.5 V power supply

SSTL-2 interface for all inputs and outputs

Clock frequency: 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz (max)

Data inputs, outputs, and DM are synchronized with DQS

4 banks can operate simultaneously and independently

Burst read/write operation

Programmable burst length: 2/4/8

Burst read stop capability

Elpida Memory, Inc. is a joint venture DRAM company of NEC Corporation and Hitachi, Ltd.

12 3 4 5 6 7...65

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HM5425801BTT-75A	ELPIDA	获取价格	256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 M
HM5425801BTT-75B	ELPIDA	获取价格	256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 M
HM5444R42HLF	TTELEC	获取价格	High Current Toroidal Inductors
HM54-44R42HLF	TTELEC	获取价格	High Current Toroidal Inductors
HM5444R42VLF	TTELEC	获取价格	High Current Toroidal Inductors
HM54-44R42VLF	TTELEC	获取价格	High Current Toroidal Inductors
HM54-45R41HLF	TTELEC	获取价格	High Current Toroidal Inductors
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