Datasheet > 存储 > DRAM> HM5425401BTT-75A

HM5425401BTT-75A

更新时间： 2024-09-23 22:27:59

品牌	Logo	应用领域
尔必达 - ELPIDA		内存集成电路光电二极管动态存储器双倍数据速率时钟
页数	文件大小	规格书
65页	481K
描述
256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

HM5425401BTT-75A 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSSOP66,.46
针数：	66	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.24
风险等级：	5.33	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.75 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	143 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	2,4,8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G66
JESD-609代码：	e0	长度：	22.22 mm
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	4	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	66
字数：	67108864 words	字数代码：	64000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	64MX4
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSSOP66,.46
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	2.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	2,4,8	子类别：	DRAMs
最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10.16 mm

HM5425401BTT-75A 数据手册

HM5425161B Series

HM5425801B Series

HM5425401B Series

256M SSTL_2 interface DDR SDRAM

143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz

4-Mword × 16-bit × 4-bank/8-Mword × 8-bit × 4-bank/

16-Mword × 4-bit × 4-bank

E0086H20 (Ver. 2.0)

Jan. 23, 2002

Description

The HM5425161B, the HM5425801B and the HM5425401B are the Double Data Rate (DDR) SDRAM

devices. Read and write operations are performed at the cross points of the CLK and the CLK. This high

speed data transfer is realized by the 2-bit prefetch piplined architecture. Data strobe (DQS) both for read and

write are available for high speed and reliable data bus design. By setting extended mode resistor, the on-chip

Delay Locked Loop (DLL) can be set enable or disable.

Features

•

2.5 V power supply

SSTL-2 interface for all inputs and outputs

Clock frequency: 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz (max)

Data inputs, outputs, and DM are synchronized with DQS

4 banks can operate simultaneously and independently

Burst read/write operation

Programmable burst length: 2/4/8

Burst read stop capability

Elpida Memory, Inc. is a joint venture DRAM company of NEC Corporation and Hitachi, Ltd.

12 3 4 5 6 7...65

中文翻译

下载PDF

与HM5425401BTT-75A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HM5425401BTT-75B	ELPIDA	获取价格	256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 M
HM5425801B	ELPIDA	获取价格	256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 M
HM5425801BTT-10	ELPIDA	获取价格	256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 M
HM5425801BTT-75A	ELPIDA	获取价格	256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 M
HM5425801BTT-75B	ELPIDA	获取价格	256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 M
HM5444R42HLF	TTELEC	获取价格	High Current Toroidal Inductors
HM54-44R42HLF	TTELEC	获取价格	High Current Toroidal Inductors
HM5444R42VLF	TTELEC	获取价格	High Current Toroidal Inductors
HM54-44R42VLF	TTELEC	获取价格	High Current Toroidal Inductors
HM54-45R41HLF	TTELEC	获取价格	High Current Toroidal Inductors

与HM5425401BTT-75A相关文章

SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

4
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

8
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

79
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

71

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

HM5425401BTT-75A

HM5425401BTT-75A 技术参数

HM5425401BTT-75A 数据手册

与HM5425401BTT-75A相关器件

与HM5425401BTT-75A相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

HM5425401BTT-75A

HM5425401BTT-75A 技术参数

HM5425401BTT-75A 数据手册

与HM5425401BTT-75A相关器件

与HM5425401BTT-75A相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？