Datasheet > HM538254BTT-7

HM538254BTT-7

更新时间： 2024-11-06 05:36:11

品牌	Logo	应用领域
尔必达 - ELPIDA		/
页数	文件大小	规格书
56页	533K
描述
2 M VRAM (256-kword x 8-bit) Hyper Page Mode (HM538254B)

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

HM538254BTT-7 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	TSOP2, TSOP40/44,.46,32
针数：	44	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.72	访问模式：	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：	70 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH; 512 X 8 SAM PORT
JESD-30 代码：	R-PDSO-G40	JESD-609代码：	e0
长度：	18.41 mm	内存密度：	2097152 bit
内存集成电路类型：	VIDEO DRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	2
端子数量：	40	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	256KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP40/44,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大待机电流：	0.007 A	子类别：	Other Memory ICs
最大压摆率：	0.21 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

HM538254BTT-7 数据手册

HM538253B Series

HM538254B Series

2 M VRAM (256-kword × 8-bit)

Hyper Page Mode (HM538254B)

E0163H10 (Ver. 1.0)

(Previous ADE-203-264A/265 (Z))

Jul. 6, 2001 (K)

Description

The HM538253B/HM538254B is a 2-Mbit multiport video RAM equipped with a 256-kword × 8-bit dynamic

RAM and a 512-word × 8-bit SAM (full-sized SAM). Its RAM and SAM operate independently and

asynchronously. The HM538253B/HM538254B is upwardly compatible with the HM534253B/HM538123B

except that the pseudo-write-transfer cycle is replaced with masked-write-transfer cycle, which has been

approved by JEDEC. Furthermore, several new features have been added to the HM538253B/HM538254B

which do not conflict with the conventional features. The stopping column feature realizes allows greater

flexibility for split SAM register lengths. Persistent mask is also installed according to the TMS34020

features. The HM538254B has Hyper page mode which enables fast page cycle.

Features

•

Multiport organization:RAM and SAM can operate asynchronously and simultaneously:

RAM: 256-kword × 8-bit

SAM: 512-word × 8-bit

Access time

RAM: 70 ns/80 ns/100 ns max

SAM: 20 ns/23 ns/25 ns max

Cycle time

RAM: 130 ns/150 ns/180 ns min

SAM: 25 ns/28 ns/30 ns min

Low power

Active

RAM: 605 mW/550 mW/495 mW

SAM: 358 mW/330 mW/303 mW

Standby 38.5 mW max

•

Masked-write-transfer cycle capability

Stopping column feature capability

Persistent mask capability

Elpida Memory, Inc. is a joint venture DRAM company of NEC Corporation and Hitachi, Ltd.

12 3 4 5 6 7...56

中文翻译

下载PDF

与HM538254BTT-7相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HM538254BTT-8	ELPIDA	获取价格	2 M VRAM (256-kword x 8-bit) Hyper Page Mode (HM538254B)
HM53E	TTELEC	获取价格	High Temperature Through Hole Inductors
HM53E	TTELEC	获取价格	High Temperature Through Hole Inductors
HM53E-2211100VLF	TTELEC	获取价格	High Temperature Through Hole Inductors
HM53E-2211100VLF	TTELEC	获取价格	High Temperature Through Hole Inductors
HM53E-2211160VLF	TTELEC	获取价格	High Temperature Through Hole Inductors
HM53E-2211160VLF	TTELEC	获取价格	High Temperature Through Hole Inductors
HM53E-2211210VLF	TTELEC	获取价格	High Temperature Through Hole Inductors
HM53E-2211210VLF	TTELEC	获取价格	High Temperature Through Hole Inductors
HM53E-2211260VLF	TTELEC	获取价格	High Temperature Through Hole Inductors

与HM538254BTT-7相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

14
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

12
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

36
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

33

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

HM538254BTT-7

HM538254BTT-7 技术参数

HM538254BTT-7 数据手册

与HM538254BTT-7相关器件

与HM538254BTT-7相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

HM538254BTT-7

HM538254BTT-7 技术参数

HM538254BTT-7 数据手册

与HM538254BTT-7相关器件

与HM538254BTT-7相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？