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HM538254BJ-7

更新时间： 2024-11-06 05:36:11

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尔必达 - ELPIDA		内存集成电路光电二极管动态存储器
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2 M VRAM (256-kword x 8-bit) Hyper Page Mode (HM538254B)

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HM538254BJ-7 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOJ	包装说明：	SOJ, SOJ40,.44
针数：	40	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.69	访问模式：	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：	70 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH; 512 X 8 SAM PORT
JESD-30 代码：	R-PDSO-J40	JESD-609代码：	e0
长度：	25.8 mm	内存密度：	2097152 bit
内存集成电路类型：	VIDEO DRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	2
端子数量：	40	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	256KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOJ	封装等效代码：	SOJ40,.44
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	3.76 mm
最大待机电流：	0.007 A	子类别：	Other Memory ICs
最大压摆率：	0.21 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

HM538254BJ-7 数据手册

HM538253B Series

HM538254B Series

2 M VRAM (256-kword × 8-bit)

Hyper Page Mode (HM538254B)

E0163H10 (Ver. 1.0)

(Previous ADE-203-264A/265 (Z))

Jul. 6, 2001 (K)

Description

The HM538253B/HM538254B is a 2-Mbit multiport video RAM equipped with a 256-kword × 8-bit dynamic

RAM and a 512-word × 8-bit SAM (full-sized SAM). Its RAM and SAM operate independently and

asynchronously. The HM538253B/HM538254B is upwardly compatible with the HM534253B/HM538123B

except that the pseudo-write-transfer cycle is replaced with masked-write-transfer cycle, which has been

approved by JEDEC. Furthermore, several new features have been added to the HM538253B/HM538254B

which do not conflict with the conventional features. The stopping column feature realizes allows greater

flexibility for split SAM register lengths. Persistent mask is also installed according to the TMS34020

features. The HM538254B has Hyper page mode which enables fast page cycle.

Features

•

Multiport organization:RAM and SAM can operate asynchronously and simultaneously:

RAM: 256-kword × 8-bit

SAM: 512-word × 8-bit

Access time

RAM: 70 ns/80 ns/100 ns max

SAM: 20 ns/23 ns/25 ns max

Cycle time

RAM: 130 ns/150 ns/180 ns min

SAM: 25 ns/28 ns/30 ns min

Low power

Active

RAM: 605 mW/550 mW/495 mW

SAM: 358 mW/330 mW/303 mW

Standby 38.5 mW max

•

Masked-write-transfer cycle capability

Stopping column feature capability

Persistent mask capability

Elpida Memory, Inc. is a joint venture DRAM company of NEC Corporation and Hitachi, Ltd.

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