Datasheet > 存储 > DRAM> HM5264165FLTT-A60

HM5264165FLTT-A60

更新时间： 2024-10-28 05:36:11

品牌	Logo	应用领域
尔必达 - ELPIDA		存储内存集成电路光电二极管动态存储器 PC 时钟
页数	文件大小	规格书
65页	498K
描述
64M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 1-Mword × 16-bit × 4-bank/2-Mword × 8-bit × 4-bank /4-Mword × 4-bit × 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM

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HM5264165FLTT-A60 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSOP54,.46,32
针数：	54	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.14	Is Samacsys：	N
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	6 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G54	JESD-609代码：	e0
长度：	22.22 mm	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	54	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	4MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSOP54,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.11 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

HM5264165FLTT-A60 数据手册

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HM5264165F-75/A60/B60

HM5264805F-75/A60/B60

HM5264405F-75/A60/B60

64M LVTTL interface SDRAM

133 MHz/100 MHz

1-Mword × 16-bit × 4-bank/2-Mword × 8-bit × 4-bank

/4-Mword × 4-bit × 4-bank

PC/133, PC/100 SDRAM

E0135H10 (Ver. 1.0)

(Previous ADE-203-940B (Z))

Apr. 25, 2001

Description

The HM5264165F is a 64-Mbit SDRAM organized as 1048576-word × 16-bit × 4 bank. The HM5264805F

is a 64-Mbit SDRAM organized as 2097152-word × 8-bit × 4 bank. The HM5264405F is a 64-Mbit SDRAM

organized as 4194304-word × 4-bit × 4 bank. All inputs and outputs are referred to the rising edge of the

clock input. It is packaged in standard 54-pin plastic TSOP II.

Features

•

3.3 V power supply

Clock frequency: 133 MHz/100 MHz (max)

LVTTL interface

Single pulsed RAS

4 banks can operate simultaneously and independently

Burst read/write operation and burst read/single write operation capability

Programmable burst length: 1/2/4/8/full page

2 variations of burst sequence

Sequential (BL = 1/2/4/8/full page)

Interleave (BL = 1/2/4/8)

Elpida Memory, Inc. is a joint venture DRAM company of NEC Corporation and Hitachi, Ltd.

12 3 4 5 6 7...65

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HM5264165FLTT-B60	HITACHI	获取价格	64M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz
HM5264165FLTT-B60	ELPIDA	获取价格	64M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 1-M
HM5264165FTT-75	ELPIDA	获取价格	64M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 1-M
HM5264165FTT-75	HITACHI	获取价格	64M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz
HM5264165FTT-75A	ELPIDA	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
HM5264165FTT-75A	HITACHI	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
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HM5264165FTT-A60	HITACHI	获取价格	64M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz
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HM5264165FTT-B60	HITACHI	获取价格	64M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz

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