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HM5259805BTD-75

更新时间： 2024-10-26 23:16:43

品牌	Logo	应用领域
尔必达 - ELPIDA		动态存储器 PC
页数	文件大小	规格书
63页	360K
描述
512M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 8-Mword 】 16-bit 】 4-bank/16-Mword 】 8-bit 】 4-bank /32-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM

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HM5259805BTD-75 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSOP54,.46,32
针数：	54	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.28
风险等级：	5.92	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	5.4 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	1,2,4,8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G54
JESD-609代码：	e0	长度：	22.22 mm
内存密度：	536870912 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	54
字数：	67108864 words	字数代码：	64000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	64MX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP54,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8	最大待机电流：	0.004 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.33 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	MOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

HM5259805BTD-75 数据手册

HM5259165B-75/A6

HM5259805B-75/A6

HM5259405B-75/A6

512M LVTTL interface SDRAM

133 MHz/100 MHz

8-Mword × 16-bit × 4-bank/16-Mword × 8-bit × 4-bank

/32-Mword × 4-bit × 4-bank

PC/133, PC/100 SDRAM

E0118H10

Ver. 1.0

Apr. 6, 2001

Description

The HM5259165B is a 512-Mbit SDRAM organized as 8388608-word × 16-bit × 4 bank. TheHM5259805B

is a 512-Mbit SDRAM organized as 16777216-word × 8-bit × 4 bank. The HM5259405B is a 512-Mbit

SDRAM organized as 33554432-word × 4-bit × 4 bank. All inputs and outputs are referred to the rising edge

of the clock input. It is packaged in standard 54-pin plastic TSOP II.

Features

•

3.3 V power supply

Clock frequency: 133 MHz/100 MHz (max)

LVTTL interface

Single pulsed RAS

4 banks can operate simultaneously and independently

Burst read/write operation and burst read/single write operation capability

Programmable burst length: 1/2/4/8

2 variations of burst sequence

 Sequential (BL = 1/2/4/8)

 Interleave (BL = 1/2/4/8)

Elpida Memory, Inc. is a joint venture DRAM company of NEC Corporation and Hitachi, Ltd.

12 3 4 5 6 7...63

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与HM5259805BTD-75相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HM5259805BTD-A6	ELPIDA	获取价格	512M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 8-
HM5264165	ETC	获取价格	HM5264805 HM52654405 Series Synchronous Dynamic RAM
HM5264165A60	HITACHI	获取价格	64M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz
HM5264165B60	HITACHI	获取价格	64M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz
HM5264165D-B60/4805D-B60/4405D-B60	ETC	获取价格	64M LVTTL Interface SDRAM 100 MHz 1-Mword X 1
HM5264165DLTT-80	HITACHI	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
HM5264165DLTT-B60	ETC	获取价格	x16 SDRAM
HM5264165DTT-80	HITACHI	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
HM5264165DTT-B60	ETC	获取价格	x16 SDRAM
HM5264165F	HITACHI	获取价格	64M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz

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