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HM5257405BTD-A6

更新时间： 2024-10-26 23:16:43

品牌	Logo	应用领域
尔必达 - ELPIDA		存储内存集成电路光电二极管动态存储器 PC 时钟
页数	文件大小	规格书
62页	455K
描述
512M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 8-Mword 】 16-bit 】 4-bank/16-Mword 】 8-bit 】 4-bank /32-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM

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HM5257405BTD-A6 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSOP54,.46,32
针数：	54	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.28
风险等级：	5.63	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	6 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	1,2,4,8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G54
JESD-609代码：	e0	长度：	22.22 mm
内存密度：	536870912 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	4	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	54
字数：	134217728 words	字数代码：	128000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	60 °C
最低工作温度：		组织：	128MX4
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP54,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8	最大待机电流：	0.004 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.33 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

HM5257405BTD-A6 数据手册

HM5257165B-75/A6

HM5257805B-75/A6

HM5257405B-75/A6

512M LVTTL interface SDRAM

133 MHz/100 MHz

8-Mword × 16-bit × 4-bank/16-Mword × 8-bit × 4-bank

/32-Mword × 4-bit × 4-bank

PC/133, PC/100 SDRAM

E0081H10 (1st edition)

(Previous ADE-203-1237A (Z))

Jan. 31, 2001

Description

The HM5257165B is a 512-Mbit SDRAM organized as 8388608-word × 16-bit × 4 bank. The HM5257805B

is a 512-Mbit SDRAM organized as 16777216-word × 8-bit × 4 bank. The HM5257405B is a 512-Mbit

SDRAM organized as 33554432-word × 4-bit × 4 bank. All inputs and outputs are referred to the rising edge

of the clock input. It is packaged in standard 54-pin plastic TSOP II.

Features

•

3.3 V power supply

Clock frequency: 133 MHz/100 MHz (max)

LVTTL interface

Single pulsed RAS

4 banks can operate simultaneously and independently

Burst read/write operation and burst read/single write operation capability

Programmable burst length: 1/2/4/8

2 variations of burst sequence

Sequential (BL = 1/2/4/8)

Interleave (BL = 1/2/4/8)

Elpida Memory, Inc. is a joint venture DRAM company of NEC Corporation and Hitachi, Ltd.

12 3 4 5 6 7...62

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HM5259165B	ELPIDA	获取价格	512M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 8-
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