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HM5212165FLTD-75

更新时间： 2024-10-27 05:36:11

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尔必达 - ELPIDA		存储内存集成电路光电二极管动态存储器 PC 时钟
页数	文件大小	规格书
62页	629K
描述
128M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 2-Mword × 16-bit × 4-bank/4-Mword × 8-bit × 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM

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HM5212165FLTD-75 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSOP54,.46,32
针数：	54	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	5.4 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G54	JESD-609代码：	e0
长度：	22.22 mm	内存密度：	134217728 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	54	字数：	8388608 words
字数代码：	8000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	8MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSOP54,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	1,2,4,8,FP
最大待机电流：	0.002 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.22 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

HM5212165FLTD-75 数据手册

HM5212165FLTD-75/A60/B60

HM5212805FLTD-75/A60/B60

128M LVTTL interface SDRAM

133 MHz/100 MHz

2-Mword × 16-bit × 4-bank/4-Mword × 8-bit × 4-bank

PC/133, PC/100 SDRAM

E0180H10 (Ver. 1.0)

Jul. 17, 2001

Description

The HM5212165FL is a 128-Mbit SDRAM organized as 2097152-word × 16-bit × 4-bank. The

HM5212805FL is a 128-Mbit SDRAM organized as 4194304-word × 8-bit × 4-bank. Allinputs and outputs are

referred to the rising edge of the clock input. It is packaged in standard 54-pin plastic TSOP II.

Features

•

3.3 V power supply

Clock frequency: 133 MHz/100 MHz (max)

LVTTL interface

Single pulsed RAS

4 banks can operate simultaneously and independently

Burst read/write operation and burst read/single write operation capability

Programmable burst length: 1/2/4/8/full page

2 variations of burst sequence

 Sequential (BL = 1/2/4/8/full page)

 Interleave (BL = 1/2/4/8)

•

Programmable CAS latency: 2/3

Byte control by DQM : DQM (HM5212805FL)

: DQMU/DQML (HM5212165FL)

Refresh cycles: 4096 refresh cycles/64 ms

•

This product became EOL in June, 2005.

Elpida Memory, Inc. is a joint venture DRAM company of NEC Corporation and Hitachi, Ltd.

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