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HM51W18165J-6

更新时间： 2024-10-26 05:36:11

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尔必达 - ELPIDA		存储内存集成电路光电二极管动态存储器
页数	文件大小	规格书
35页	598K
描述
16 M EDO DRAM (1-Mword x 16-bit) 4 k Refresh/1 k Refresh

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HM51W18165J-6 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOJ	包装说明：	SOJ, SOJ42,.44
针数：	42	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.86	Is Samacsys：	N
访问模式：	FAST PAGE WITH EDO	最长访问时间：	60 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-J42	JESD-609代码：	e0
长度：	27.06 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	42	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	1MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOJ
封装等效代码：	SOJ42,.44	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	1024	座面最大高度：	3.76 mm
自我刷新：	NO	最大待机电流：	0.001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.17 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

HM51W18165J-6 数据手册

HM51W16165 Series

HM51W18165 Series

16 M EDO DRAM (1-Mword × 16-bit)

4 k Refresh/1 k Refresh

E0153H10 (Ver. 1.0)

(Previous ADE-203-650D (Z))

Jul. 6, 2001 (K)

Description

The HM51W16165 Series, HM51W18165 Series are CMOS dynamic RAMs organized as 1,048,576-word

× 16-bit. They employ the most advanced CMOS technology for high performance and low power.

HM51W16165 Series, HM51W18165 Series offer Extended Data Out (EDO) Page Mode as a high speed

access mode. They have package variations of standard 400-mil 42-pin plastic SOJ and 400-mil 50-pin

plastic TSOP.

Features

•

Single 3.3 V (±0.3 V)

Access time: 50 ns/60 ns/70 ns (max)

Power dissipation

Active mode : 396 mW/360mW/324 mW (max) (HM51W16165 Series)

: 684 mW /612 mW /540 mW (max) (HM51W18165 Series)

Standby mode : 7.2 mW (max)

: 0.54 mW (max) (L-version)

EDO page mode capability

•

Refresh cycles

4096 refresh cycles : 64 ms (HM51W16165 Series)

: 128 ms (L-version)

1024 refresh cycles : 16 ms (HM51W18165 Series)

: 128 ms (L-version)

•

4 variations of refresh

RAS-only refresh

CAS-before-RAS refresh

Hidden refresh

Self refresh (L-version)

2CAS-byte control

Elpida Memory, Inc. is a joint venture DRAM company of NEC Corporation and Hitachi, Ltd.

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HM51W18165LJ-5	HITACHI	获取价格	16 M EDO DRAM (1-Mword 16-bit) 4 k Refresh/1 k Refresh
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