是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOJ | 包装说明: | SOJ, SOJ42,.44 |
针数: | 42 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.02 |
风险等级: | 5.91 | 访问模式: | FAST PAGE WITH EDO |
最长访问时间: | 50 ns | 其他特性: | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-J42 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 27.06 mm |
内存密度: | 16777216 bit | 内存集成电路类型: | EDO DRAM |
内存宽度: | 16 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 42 |
字数: | 1048576 words | 字数代码: | 1000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 1MX16 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOJ | 封装等效代码: | SOJ42,.44 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 1024 |
座面最大高度: | 3.76 mm | 自我刷新: | NO |
最大待机电流: | 0.001 A | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 0.19 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 10.16 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HM51W18165J-6 | HITACHI |
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16 M EDO DRAM (1-Mword 16-bit) 4 k Refresh/1 k Refresh | |
HM51W18165J-6 | ELPIDA |
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16 M EDO DRAM (1-Mword x 16-bit) 4 k Refresh/1 k Refresh | |
HM51W18165J-7 | HITACHI |
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16 M EDO DRAM (1-Mword 16-bit) 4 k Refresh/1 k Refresh | |
HM51W18165J-7 | ELPIDA |
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16 M EDO DRAM (1-Mword x 16-bit) 4 k Refresh/1 k Refresh | |
HM51W18165JI-6 | ETC |
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x16 EDO Page Mode DRAM | |
HM51W18165JI-7 | ETC |
获取价格 |
x16 EDO Page Mode DRAM | |
HM51W18165LJ-5 | HITACHI |
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16 M EDO DRAM (1-Mword 16-bit) 4 k Refresh/1 k Refresh | |
HM51W18165LJ-5 | ELPIDA |
获取价格 |
16 M EDO DRAM (1-Mword x 16-bit) 4 k Refresh/1 k Refresh | |
HM51W18165LJ-6 | ELPIDA |
获取价格 |
16 M EDO DRAM (1-Mword x 16-bit) 4 k Refresh/1 k Refresh | |
HM51W18165LJ-6 | HITACHI |
获取价格 |
16 M EDO DRAM (1-Mword 16-bit) 4 k Refresh/1 k Refresh |