5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > HM51W18165J-5
HM51W18165J-5 PDF预览

HM51W18165J-5

更新时间： 2024-10-26 05:36:19
品牌 Logo 应用领域
尔必达 - ELPIDA 动态存储器
页数 文件大小 规格书
35页 598K
描述
16 M EDO DRAM (1-Mword x 16-bit) 4 k Refresh/1 k Refresh

阅读下载

中文翻译

获取价格

HM51W18165J-5 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOJ包装说明：SOJ, SOJ42,.44
针数：42Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.91访问模式：FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：50 ns其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-J42
JESD-609代码：e0长度：27.06 mm
内存密度：16777216 bit内存集成电路类型：EDO DRAM
内存宽度：16功能数量：1
端口数量：1端子数量：42
字数：1048576 words字数代码：1000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：1MX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOJ封装等效代码：SOJ42,.44
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：1024
座面最大高度：3.76 mm自我刷新：NO
最大待机电流：0.001 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.19 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

HM51W18165J-5 数据手册

 浏览型号HM51W18165J-5的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HM51W18165J-5的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HM51W18165J-5的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HM51W18165J-5的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HM51W18165J-5的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HM51W18165J-5的Datasheet PDF文件第7页 
HM51W16165 Series  
HM51W18165 Series  
16 M EDO DRAM (1-Mword × 16-bit)  
4 k Refresh/1 k Refresh  
E0153H10 (Ver. 1.0)  
(Previous ADE-203-650D (Z))  
Jul. 6, 2001 (K)  
Description  
The HM51W16165 Series, HM51W18165 Series are CMOS dynamic RAMs organized as 1,048,576-word  
× 16-bit. They employ the most advanced CMOS technology for high performance and low power.  
HM51W16165 Series, HM51W18165 Series offer Extended Data Out (EDO) Page Mode as a high speed  
access mode. They have package variations of standard 400-mil 42-pin plastic SOJ and 400-mil 50-pin  
plastic TSOP.  
Features  
•
•
•
Single 3.3 V (±0.3 V)  
Access time: 50 ns/60 ns/70 ns (max)  
Power dissipation  
Active mode : 396 mW/360mW/324 mW (max) (HM51W16165 Series)  
: 684 mW /612 mW /540 mW (max) (HM51W18165 Series)  
Standby mode : 7.2 mW (max)  
: 0.54 mW (max) (L-version)  
EDO page mode capability  
•
•
Refresh cycles  
4096 refresh cycles : 64 ms (HM51W16165 Series)  
: 128 ms (L-version)  
1024 refresh cycles : 16 ms (HM51W18165 Series)  
: 128 ms (L-version)  
•
•
4 variations of refresh  
RAS-only refresh  
CAS-before-RAS refresh  
Hidden refresh  
Self refresh (L-version)  
2CAS-byte control  
Elpida Memory, Inc. is a joint venture DRAM company of NEC Corporation and Hitachi, Ltd.  
1234567...35

中文翻译

下载PDF

与HM51W18165J-5相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HM51W18165J-6 HITACHI

获取价格

 		16 M EDO DRAM (1-Mword 16-bit) 4 k Refresh/1 k Refresh
HM51W18165J-6 ELPIDA

获取价格

 		16 M EDO DRAM (1-Mword x 16-bit) 4 k Refresh/1 k Refresh
HM51W18165J-7 HITACHI

获取价格

 		16 M EDO DRAM (1-Mword 16-bit) 4 k Refresh/1 k Refresh
HM51W18165J-7 ELPIDA

获取价格

 		16 M EDO DRAM (1-Mword x 16-bit) 4 k Refresh/1 k Refresh
HM51W18165JI-6 ETC

获取价格

 		x16 EDO Page Mode DRAM
HM51W18165JI-7 ETC

获取价格

 		x16 EDO Page Mode DRAM
HM51W18165LJ-5 HITACHI

获取价格

 		16 M EDO DRAM (1-Mword 16-bit) 4 k Refresh/1 k Refresh
HM51W18165LJ-5 ELPIDA

获取价格

 		16 M EDO DRAM (1-Mword x 16-bit) 4 k Refresh/1 k Refresh
HM51W18165LJ-6 ELPIDA

获取价格

 		16 M EDO DRAM (1-Mword x 16-bit) 4 k Refresh/1 k Refresh
HM51W18165LJ-6 HITACHI

获取价格

 		16 M EDO DRAM (1-Mword 16-bit) 4 k Refresh/1 k Refresh

与HM51W18165J-5相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证