Datasheet > 存储 > DRAM> HM51W17805LTS-6

HM51W17805LTS-6

更新时间： 2024-10-26 05:36:19

品牌	Logo	应用领域
尔必达 - ELPIDA		存储内存集成电路光电二极管动态存储器
页数	文件大小	规格书
32页	542K
描述
16 M EDO DRAM (2-Mword x 8-bit) 2 k Refresh

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

HM51W17805LTS-6 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	TSOP2, TSOP28,.34
针数：	28	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
访问模式：	FAST PAGE WITH EDO	最长访问时间：	60 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/BATTERY BACKUP/SELF REFRESH	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G28	JESD-609代码：	e0
长度：	18.41 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	28	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	2MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSOP28,.34	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	2048
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
最大待机电流：	0.00015 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.1 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	7.62 mm
Base Number Matches：	1

HM51W17805LTS-6 数据手册

HM51W17805 Series

16 M EDO DRAM (2-Mword × 8-bit)

2 k Refresh

E0155H10 (Ver. 1.0)

(Previous ADE-203-631D (Z))

Jun. 27, 2001

Description

The HM51W17805 is a CMOS dynamic RAM organized 2,097,152-word × 8-bit. It employs the most

advanced CMOS technology for high performance and low power. The HM51W17805 offers Extended Data

Out (EDO) Page Mode as a high speed access mode. Multiplexed address input permits the HM51W17805 to

be packaged in standard 28-pin plastic SOJ and 28-pin TSOP.

Features

•

Single 3.3 V (±0.3 V)

Access time: 50 ns/60 ns/70 ns (max)

Power dissipation

Active mode: 396 mW/360 mW/324 mW (max)

Standby mode : 7.2 mW (max)

: 0.54 mW (max) (L-version)

EDO page mode capability

Long refresh period

•

2048 refresh cycles : 32 ms

: 128 ms (L-version)

•

4 variations of refresh

RAS-only refresh

CAS-before-RAS refresh

Hidden refresh

Self refresh (L-version)

Battery backup operation (L-version)

Elpida Memory, Inc. is a joint venture DRAM company of NEC Corporation and Hitachi, Ltd.

12 3 4 5 6 7...32

中文翻译

下载PDF

与HM51W17805LTS-6相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HM51W17805LTS-7	ELPIDA	获取价格	16 M EDO DRAM (2-Mword x 8-bit) 2 k Refresh
HM51W17805LTT-5	ELPIDA	获取价格	16 M EDO DRAM (2-Mword x 8-bit) 2 k Refresh
HM51W17805LTT-6	ELPIDA	获取价格	16 M EDO DRAM (2-Mword x 8-bit) 2 k Refresh
HM51W17805LTT-7	ELPIDA	获取价格	16 M EDO DRAM (2-Mword x 8-bit) 2 k Refresh
HM51W17805S-5	ELPIDA	获取价格	16 M EDO DRAM (2-Mword x 8-bit) 2 k Refresh
HM51W17805S-6	ELPIDA	获取价格	16 M EDO DRAM (2-Mword x 8-bit) 2 k Refresh
HM51W17805S-7	ELPIDA	获取价格	16 M EDO DRAM (2-Mword x 8-bit) 2 k Refresh
HM51W17805TS-5	ELPIDA	获取价格	16 M EDO DRAM (2-Mword x 8-bit) 2 k Refresh
HM51W17805TS-6	ELPIDA	获取价格	16 M EDO DRAM (2-Mword x 8-bit) 2 k Refresh
HM51W17805TS-7	ELPIDA	获取价格	16 M EDO DRAM (2-Mword x 8-bit) 2 k Refresh

与HM51W17805LTS-6相关文章

三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

5
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

4
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
2024-10-18

35
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
2024-10-15

43

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

HM51W17805LTS-6

HM51W17805LTS-6 技术参数

HM51W17805LTS-6 数据手册

与HM51W17805LTS-6相关器件

与HM51W17805LTS-6相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

HM51W17805LTS-6

HM51W17805LTS-6 技术参数

HM51W17805LTS-6 数据手册

与HM51W17805LTS-6相关器件

与HM51W17805LTS-6相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？