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HM51W17805J-7

更新时间： 2024-10-26 05:36:19

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尔必达 - ELPIDA		内存集成电路光电二极管动态存储器
页数	文件大小	规格书
32页	542K
描述
16 M EDO DRAM (2-Mword x 8-bit) 2 k Refresh

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HM51W17805J-7 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOJ	包装说明：	SOJ, SOJ28,.44
针数：	28	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.92	访问模式：	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：	70 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-J28
JESD-609代码：	e0	长度：	18.17 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	EDO DRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	28
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	2MX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOJ	封装等效代码：	SOJ28,.44
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	2048	座面最大高度：	3.76 mm
自我刷新：	NO	最大待机电流：	0.001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.09 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	10.16 mm

HM51W17805J-7 数据手册

HM51W17805 Series

16 M EDO DRAM (2-Mword × 8-bit)

2 k Refresh

E0155H10 (Ver. 1.0)

(Previous ADE-203-631D (Z))

Jun. 27, 2001

Description

The HM51W17805 is a CMOS dynamic RAM organized 2,097,152-word × 8-bit. It employs the most

advanced CMOS technology for high performance and low power. The HM51W17805 offers Extended Data

Out (EDO) Page Mode as a high speed access mode. Multiplexed address input permits the HM51W17805 to

be packaged in standard 28-pin plastic SOJ and 28-pin TSOP.

Features

•

Single 3.3 V (±0.3 V)

Access time: 50 ns/60 ns/70 ns (max)

Power dissipation

Active mode: 396 mW/360 mW/324 mW (max)

Standby mode : 7.2 mW (max)

: 0.54 mW (max) (L-version)

EDO page mode capability

Long refresh period

•

2048 refresh cycles : 32 ms

: 128 ms (L-version)

•

4 variations of refresh

RAS-only refresh

CAS-before-RAS refresh

Hidden refresh

Self refresh (L-version)

Battery backup operation (L-version)

Elpida Memory, Inc. is a joint venture DRAM company of NEC Corporation and Hitachi, Ltd.

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