是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOJ | 包装说明: | SOJ, SOJ28,.44 |
针数: | 28 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.02 |
风险等级: | 5.92 | 访问模式: | FAST PAGE WITH EDO |
最长访问时间: | 70 ns | 其他特性: | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-J28 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 18.17 mm |
内存密度: | 16777216 bit | 内存集成电路类型: | EDO DRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 2097152 words | 字数代码: | 2000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 2MX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOJ | 封装等效代码: | SOJ28,.44 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 2048 | 座面最大高度: | 3.76 mm |
自我刷新: | NO | 最大待机电流: | 0.001 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.09 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | J BEND |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
宽度: | 10.16 mm |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HM51W17805LJ-5 | ELPIDA |
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16 M EDO DRAM (2-Mword x 8-bit) 2 k Refresh | |
HM51W17805LJ-6 | ELPIDA |
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16 M EDO DRAM (2-Mword x 8-bit) 2 k Refresh | |
HM51W17805LJ-7 | ELPIDA |
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16 M EDO DRAM (2-Mword x 8-bit) 2 k Refresh | |
HM51W17805LS-5 | ELPIDA |
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16 M EDO DRAM (2-Mword x 8-bit) 2 k Refresh | |
HM51W17805LS-6 | ELPIDA |
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16 M EDO DRAM (2-Mword x 8-bit) 2 k Refresh | |
HM51W17805LS-7 | ELPIDA |
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16 M EDO DRAM (2-Mword x 8-bit) 2 k Refresh | |
HM51W17805LTS-5 | ELPIDA |
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HM51W17805LTS-6 | ELPIDA |
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16 M EDO DRAM (2-Mword x 8-bit) 2 k Refresh | |
HM51W17805LTS-7 | ELPIDA |
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16 M EDO DRAM (2-Mword x 8-bit) 2 k Refresh | |
HM51W17805LTT-5 | ELPIDA |
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16 M EDO DRAM (2-Mword x 8-bit) 2 k Refresh |