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HM51W17805J-6

更新时间: 2024-10-26 05:36:11
品牌 Logo 应用领域
尔必达 - ELPIDA 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
32页 542K
描述
16 M EDO DRAM (2-Mword x 8-bit) 2 k Refresh

HM51W17805J-6 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOJ包装说明:SOJ, SOJ28,.44
针数:28Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.92Is Samacsys:N
访问模式:FAST PAGE WITH EDO最长访问时间:60 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-J28JESD-609代码:e0
长度:18.17 mm内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:EDO DRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:28字数:2097152 words
字数代码:2000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:2MX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装等效代码:SOJ28,.44封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:2048
座面最大高度:3.76 mm自我刷新:NO
最大待机电流:0.001 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.1 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

HM51W17805J-6 数据手册

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HM51W17805 Series  
16 M EDO DRAM (2-Mword × 8-bit)  
2 k Refresh  
E0155H10 (Ver. 1.0)  
(Previous ADE-203-631D (Z))  
Jun. 27, 2001  
Description  
The HM51W17805 is a CMOS dynamic RAM organized 2,097,152-word × 8-bit. It employs the most  
advanced CMOS technology for high performance and low power. The HM51W17805 offers Extended Data  
Out (EDO) Page Mode as a high speed access mode. Multiplexed address input permits the HM51W17805 to  
be packaged in standard 28-pin plastic SOJ and 28-pin TSOP.  
Features  
Single 3.3 V (±0.3 V)  
Access time: 50 ns/60 ns/70 ns (max)  
Power dissipation  
Active mode: 396 mW/360 mW/324 mW (max)  
Standby mode : 7.2 mW (max)  
: 0.54 mW (max) (L-version)  
EDO page mode capability  
Long refresh period  
2048 refresh cycles : 32 ms  
: 128 ms (L-version)  
4 variations of refresh  
RAS-only refresh  
CAS-before-RAS refresh  
Hidden refresh  
Self refresh (L-version)  
Battery backup operation (L-version)  
Elpida Memory, Inc. is a joint venture DRAM company of NEC Corporation and Hitachi, Ltd.  

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