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HM5165165FLJ-6

更新时间： 2024-09-14 05:36:11

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尔必达 - ELPIDA		存储内存集成电路光电二极管动态存储器
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64M EDO DRAM (4-Mword × 16-bit) 8k refresh/4k refresh

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HM5165165FLJ-6 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOJ	包装说明：	SOJ, SOJ50,.44,32
针数：	50	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.3	Is Samacsys：	N
访问模式：	FAST PAGE WITH EDO	最长访问时间：	60 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-J50	JESD-609代码：	e0
长度：	20.95 mm	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	50	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	4MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOJ
封装等效代码：	SOJ50,.44,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	座面最大高度：	3.76 mm
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.0003 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.12 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	J BEND
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

HM5165165FLJ-6 数据手册

HM5164165F Series

HM5165165F Series

64M EDO DRAM (4-Mword × 16-bit)

8k refresh/4k refresh

E0099H10 (1st edition)

(Previous ADE-203-1058C(Z))

Jan. 31, 2001

Description

The HM5164165F Series, HM5165165F Series are 64M-bit dynamic RAMs organized as 4,194,304-word

× 16-bit. They have realized high performance and low power by employing CMOS process technology.

HM5164165F Series, HM5165165F Series offer Extended Data Out (EDO) Page Mode as a high speed access

mode. They have the package variations of standard 50-pin plastic SOJ and standerd 50-pin plastic TSOPII

Features

•

Single 3.3 V supply: 3.3 V ± 0.3 V

Access time: 50 ns/60 ns (max)

Power dissipation

⎯ Active: 432 mW/396 mW (max) (HM5164165F Series)

: 504 mW/432 mW (max) (HM5165165F Series)

⎯ Standby : 1.8 mW (max) (CMOS interface)

: 1.1 mW (max) (L-version)

•

EDO page mode capability

Refresh cycles

⎯ RAS-only refresh

8192 cycles/64 ms (HM5164165F, HM5164165FL)

4096 cycles/64 ms (HM5165165F, HM5165165FL)

⎯ CBR/Hidden refresh

4096 cycles/64 ms (HM5164165F, HM5164165FL, HM5165165F, HM5165165FL)

This product became EOL in December, 2006.

Elpida Memory, Inc. is a joint venture DRAM company of NEC Corporation and Hitachi, Ltd.

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