是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOJ | 包装说明: | SOJ, SOJ32,.44 |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.02 |
风险等级: | 5.78 | Is Samacsys: | N |
访问模式: | FAST PAGE WITH EDO | 最长访问时间: | 60 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-J32 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 20.95 mm |
内存密度: | 67108864 bit | 内存集成电路类型: | EDO DRAM |
内存宽度: | 4 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 16777216 words | 字数代码: | 16000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 16MX4 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOJ | 封装等效代码: | SOJ32,.44 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 8192 |
座面最大高度: | 3.76 mm | 自我刷新: | YES |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.14 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | J BEND |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 10.16 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HM5164405ALJ-7 | ETC |
获取价格 |
x4 EDO Page Mode DRAM |
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HM5164405ALTT-5 | ETC |
获取价格 |
x4 EDO Page Mode DRAM |
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HM5164405ALTT-6 | ETC |
获取价格 |
x4 EDO Page Mode DRAM |
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HM5164405ALTT-7 | ETC |
获取价格 |
x4 EDO Page Mode DRAM |
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HM5164405ATT-5 | ETC |
获取价格 |
x4 EDO Page Mode DRAM |
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HM5164405ATT-6 | ETC |
获取价格 |
x4 EDO Page Mode DRAM |
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HM5164405ATT-7 | ETC |
获取价格 |
x4 EDO Page Mode DRAM |
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HM5164405F | ELPIDA |
获取价格 |
64 M EDO DRAM (16-Mword × 4-bit) 8 k Refresh/ |
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HM5164405F/5405F | ETC |
获取价格 |
Series 64 M EDO DRAM (16-MwordX4-Bit) 8k Refresh/4k Refresh |
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HM5164405FJ-5 | ELPIDA |
获取价格 |
64 M EDO DRAM (16-Mword × 4-bit) 8 k Refresh/ |
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