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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TSOP2 | 包装说明： | TSOP2, TSOP50,.46,32 |
| 针数： | 50 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.02 |
| 风险等级： | 5.59 | Is Samacsys： | N |
| 访问模式： | FAST PAGE WITH EDO | 最长访问时间： | 60 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-G50 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 20.95 mm |
| 内存密度： | 67108864 bit | 内存集成电路类型： | EDO DRAM |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 50 |
| 字数： | 4194304 words | 字数代码： | 4000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 4MX16 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP2 | 封装等效代码： | TSOP50,.46,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 8192 |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 自我刷新： | YES |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.14 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 10.16 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HM5164165ALTT-7 | ETC |
获取价格 |
x16 EDO Page Mode DRAM |
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| HM5164165ATT-5 | ETC |
获取价格 |
x16 EDO Page Mode DRAM |
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| HM5164165ATT-6 | ETC |
获取价格 |
x16 EDO Page Mode DRAM |
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| HM5164165ATT-7 | ETC |
获取价格 |
x16 EDO Page Mode DRAM |
|
| HM5164165F | HITACHI |
获取价格 |
64M EDO DRAM (4-Mword x 16-bit) 8k refresh/4k refresh |
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| HM5164165F | ELPIDA |
获取价格 |
64M EDO DRAM (4-Mword × 16-bit) 8k refresh/4k |
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| HM5164165FJ-5 | ELPIDA |
获取价格 |
64M EDO DRAM (4-Mword × 16-bit) 8k refresh/4k |
|
| HM5164165FJ-5 | HITACHI |
获取价格 |
64M EDO DRAM (4-Mword x 16-bit) 8k refresh/4k refresh |
|
| HM5164165FJ-6 | HITACHI |
获取价格 |
64M EDO DRAM (4-Mword x 16-bit) 8k refresh/4k refresh |
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| HM5164165FJ-6 | ELPIDA |
获取价格 |
64M EDO DRAM (4-Mword × 16-bit) 8k refresh/4k |
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