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HM5116405S-6

更新时间： 2024-11-12 05:36:11

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尔必达 - ELPIDA		存储内存集成电路光电二极管动态存储器
页数	文件大小	规格书
34页	560K
描述
16 M EDO DRAM (4-Mword ´ 4-bit) 4 k Refresh/2 k Refresh

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HM5116405S-6 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOJ	包装说明：	SOJ, SOJ24/26,.34
针数：	24	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.92	访问模式：	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：	60 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-J24
JESD-609代码：	e0	长度：	16.9 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	EDO DRAM
内存宽度：	4	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	24
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	4MX4
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOJ	封装等效代码：	SOJ24/26,.34
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	3.76 mm	自我刷新：	NO
最大待机电流：	0.001 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.08 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	7.62 mm	Base Number Matches：	1

HM5116405S-6 数据手册

HM5116405 Series

HM5117405 Series

16 M EDO DRAM (4-Mword × 4-bit)

4 k Refresh/2 k Refresh

E0151H10 (Ver. 1.0)

(Previous ADE-203-633D (Z))

Jul. 6, 2001 (K)

Description

The HM5116405 Series, HM5117405 Series are CMOS dynamic RAMs organized 4,194,304-word × 4-bit.

They employ the most advanced CMOS technology for high performance and low power. The

HM5116405 Series, HM5117405 Series offer Extended Data Out (EDO) Page Mode as a high speed

access mode. They have package variations of standard 26-pin plastic SOJ and standard 26-pin plastic

TSOP II.

Features

•

Single 5 V (±10%)

Access time: 50 ns/60 ns/70 ns (max)

Power dissipation

Active mode : 495 mW/440 mW/385 mW (max) (HM5116405 Series)

: 550 mW/495 mW/440 mW (max) (HM5117405 Series)

Standby mode : 11 mW (max)

: 0.83 mW (max) (L-version)

EDO page mode capability

•

Long refresh period

4096 refresh cycles : 64 ms (HM5116405 Series)

: 128 ms (L-version)

2048 refresh cycles : 32 ms (HM5117405 Series)

: 128 ms (L-version)

•

3 variations of refresh

RAS-only refresh

CAS-before-RAS refresh

Hidden refresh

Elpida Memory, Inc. is a joint venture DRAM company of NEC Corporation and Hitachi, Ltd.

12 3 4 5 6 7...34

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HM5116405S-7	HITACHI	获取价格	16M EDO DRAM (4-MWORD X 4-BIT) 4K REFRESH / 2K REFRESH
HM5116405S-7	ELPIDA	获取价格	16 M EDO DRAM (4-Mword ´ 4-bit) 4 k Refresh/2
HM5116405SI-6	HITACHI	获取价格	EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24
HM5116405SI-7	HITACHI	获取价格	EDO DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24
HM5116405TS-5	ELPIDA	获取价格	16 M EDO DRAM (4-Mword ´ 4-bit) 4 k Refresh/2
HM5116405TS-5	HITACHI	获取价格	16M EDO DRAM (4-MWORD X 4-BIT) 4K REFRESH / 2K REFRESH
HM5116405TS-6	HITACHI	获取价格	16M EDO DRAM (4-MWORD X 4-BIT) 4K REFRESH / 2K REFRESH
HM5116405TS-6	ELPIDA	获取价格	16 M EDO DRAM (4-Mword ´ 4-bit) 4 k Refresh/2
HM5116405TS-7	ELPIDA	获取价格	16 M EDO DRAM (4-Mword ´ 4-bit) 4 k Refresh/2
HM5116405TS-7	HITACHI	获取价格	16M EDO DRAM (4-MWORD X 4-BIT) 4K REFRESH / 2K REFRESH

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