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HM5116405LTS-5

更新时间： 2024-11-12 05:36:11

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尔必达 - ELPIDA		存储内存集成电路光电二极管动态存储器
页数	文件大小	规格书
34页	560K
描述
16 M EDO DRAM (4-Mword ´ 4-bit) 4 k Refresh/2 k Refresh

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HM5116405LTS-5 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSOP24/26,.36
针数：	26	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
访问模式：	FAST PAGE WITH EDO	最长访问时间：	50 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/BATTERY BACKUP REFRESH	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G24	JESD-609代码：	e0
长度：	17.14 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM	内存宽度：	4
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	24	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	4MX4	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSOP24/26,.36	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.00015 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.09 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	7.62 mm
Base Number Matches：	1

HM5116405LTS-5 数据手册

HM5116405 Series

HM5117405 Series

16 M EDO DRAM (4-Mword × 4-bit)

4 k Refresh/2 k Refresh

E0151H10 (Ver. 1.0)

(Previous ADE-203-633D (Z))

Jul. 6, 2001 (K)

Description

The HM5116405 Series, HM5117405 Series are CMOS dynamic RAMs organized 4,194,304-word × 4-bit.

They employ the most advanced CMOS technology for high performance and low power. The

HM5116405 Series, HM5117405 Series offer Extended Data Out (EDO) Page Mode as a high speed

access mode. They have package variations of standard 26-pin plastic SOJ and standard 26-pin plastic

TSOP II.

Features

•

Single 5 V (±10%)

Access time: 50 ns/60 ns/70 ns (max)

Power dissipation

Active mode : 495 mW/440 mW/385 mW (max) (HM5116405 Series)

: 550 mW/495 mW/440 mW (max) (HM5117405 Series)

Standby mode : 11 mW (max)

: 0.83 mW (max) (L-version)

EDO page mode capability

•

Long refresh period

4096 refresh cycles : 64 ms (HM5116405 Series)

: 128 ms (L-version)

2048 refresh cycles : 32 ms (HM5117405 Series)

: 128 ms (L-version)

•

3 variations of refresh

RAS-only refresh

CAS-before-RAS refresh

Hidden refresh

Elpida Memory, Inc. is a joint venture DRAM company of NEC Corporation and Hitachi, Ltd.

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