Datasheet > 存储 > DRAM> HM5112805FTD-5

HM5112805FTD-5

更新时间： 2024-09-23 05:36:11

品牌	Logo	应用领域
尔必达 - ELPIDA		存储内存集成电路光电二极管动态存储器
页数	文件大小	规格书
31页	264K
描述
128M EDO DRAM (16-Mword × 8-bit) 8k refresh/4k refresh

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

HM5112805FTD-5 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSOP32,.46
针数：	32	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.77	Is Samacsys：	N
访问模式：	FAST PAGE WITH EDO	最长访问时间：	50 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G32	JESD-609代码：	e0
长度：	20.95 mm	内存密度：	134217728 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	32	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	16MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSOP32,.46	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	NO	最大待机电流：	0.001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.22 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.45 V	最小供电电压 (Vsup)：	3.15 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

HM5112805FTD-5 数据手册

HM5112805FTD-5,

HM5113805FTD-5

128M EDO DRAM (16-Mword × 8-bit)

8k refresh/4k refresh

E0174H10 (Ver. 1.0)

(Previous ADE-203-1052B (Z))

Jul. 16, 2001

Description

The HM5112805F Series, HM5113805F Series are 128M-bit dynamic RAMsorganized as 16,777,216-word

× 8-bit. They have realized high performance and low power by employing CMOS process technology.

HM5112805F Series, HM5113805F Series offer Extended Data Out (EDO) Page Mode as a high speed

access mode. They are packaged in 32-pin plastic TSOPII.

Features

•

Single 3.3 V supply: 3.3 V ± 0.15 V

Access time: 50 ns (max)

Power dissipation

⎯ Active: 759 mW (max) (HM5112805F Series)

897 mW (max) (HM5113805F Series)

⎯ Standby : 3.5 mW (max) (CMOS interface)

EDO page mode capability

•

Refresh cycles

⎯ RAS-only refresh

8192 cycles/64 ms (HM5112805F)

4096 cycles/64 ms (HM5113805F)

⎯ CBR/Hidden refresh

4096 cycles/64 ms (HM5112805F, HM5113805F)

3 variations of refresh

•

⎯ RAS-only refresh

⎯ CAS-before-RAS refresh

⎯ Hidden refresh

This product became EOL in December, 2006.

Elpida Memory, Inc. is a joint venture DRAM company of NEC Corporation and Hitachi, Ltd.

12 3 4 5 6 7...31

中文翻译

下载PDF

与HM5112805FTD-5相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HM5112805FTD-6	HITACHI	获取价格	128M EDO DRAM (16-Mword x 8-bit) 8k refresh/4k refresh
HM5112805LTD-6	ETC	获取价格	x8 EDO Page Mode DRAM
HM5112805TD-5	ETC	获取价格	x8 EDO Page Mode DRAM
HM5112805TD-5/HM5113805TD-5	ETC	获取价格	128M EDO DRAM (16-Mword X 8-Bit) 8K Refresh/4K Refre
HM5112805TD-6	ETC	获取价格	x8 EDO Page Mode DRAM
HM5113165FLTD-6	ELPIDA	获取价格	128M EDO DRAM (8-Mword × 16-bit) 4k refresh
HM5113165FTD-6	ELPIDA	获取价格	128M EDO DRAM (8-Mword × 16-bit) 4k refresh
HM5113165LTD-6	ELPIDA	获取价格	128M EDO DRAM (8-Mword × 16-bit) 4k refresh
HM5113805F-6	HITACHI	获取价格	128M EDO DRAM (16-Mword x 8-bit) 8k refresh/4k refresh
HM5113805FLTD-6	ELPIDA	获取价格	128M EDO DRAM (16-Mword × 8-bit) 8k refresh/4

与HM5112805FTD-5相关文章

SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

4
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

6
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

78
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

68

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

HM5112805FTD-5

HM5112805FTD-5 技术参数

HM5112805FTD-5 数据手册

与HM5112805FTD-5相关器件

与HM5112805FTD-5相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

HM5112805FTD-5

HM5112805FTD-5 技术参数

HM5112805FTD-5 数据手册

与HM5112805FTD-5相关器件

与HM5112805FTD-5相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？