Datasheet > HM2907A

HM2907A

更新时间： 2024-11-08 22:48:35

品牌	Logo	应用领域
HSMC		晶体晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
3页	35K
描述
PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

HM2907A 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.6 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	50
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	1.2 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
Base Number Matches：	1

HM2907A 数据手册

Spec. No. :HE9520

HI-SINCERITY

Issued Date : 1997.06.18

Revised Date : 2002.04.10

Page No. : 1/3

MICROELECTRONICS CORP.

HM2907A

PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

Description

The HM2907A is designed for general purpose amplifier and high

speed, medium-power switching applications.

SOT-89

Features

• Low collector saturation voltage

• High speed switching

• For complementary use with NPN type HM2222A

Absolute Maximum Ratings

• Maximum Temperatures

Storage Temperature............................................................................................ -55 ~ +150 °C

Junction Temperature.................................................................................... +150 °C Maximum

• Maximum Power Dissipation

Total Power Dissipation (Ta=25°C).................................................................................... 1.2 W

• Maximum Voltages and Currents (Ta=25°C)

VCBO Collector to Base Voltage ........................................................................................ -60 V

VCEO Collector to Emitter Voltage..................................................................................... -60 V

VEBO Emitter to Base Voltage............................................................................................. -5 V

IC Collector Current ...................................................................................................... -600 mA

Characteristics (Ta=25°C)

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

Test Conditions

BVCBO

BVCEO

BVEBO

ICBO

-60

-5

100

200

IC=-10uA

IC=-10mA

IC=-10uA

VCB=-50V

VCE=-30V, VBE=-0.5V

IC=-150mA, IB=-15mA

IC=-500mA, IB=-50mA

IC=-150mA, IB=-15mA

IC=-500mA, IB=-50mA

VCE=-10V, IC=-100uA

VCE=-10V, IC=-1mA

VCE=-10V, IC=-10mA

VCE=-10V, IC=-150mA

VCE=-10V, IC=-500mA

VCE=-20V, IC=-50mA, f=100MHz

VCB=-10V, f=1MHz

-10

-50

-0.4

-1.6

-1.3

-2.6

ICEX

*VCE(sat)1

*VCE(sat)2

*VBE(sat)1

*VBE(sat)2

*hFE1

-0.2

-0.5

*hFE2

*hFE3

*hFE4

*hFE5

Cob

300

MHz

8.0

*Pulse Test: Pulse Width ≤380us, Duty Cycle≤2%

HM2907A

HSMC Product Specification

12 3

中文翻译

下载PDF

与HM2907A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HM2931A	HMSEMI	获取价格	High-precision non-isolated step-down switch
HM2932A	HMSEMI	获取价格	High-precision non-isolated step-down switch
HM2933A	HMSEMI	获取价格	High-precision non-isolated step-down switch
HM2933D	HMSEMI	获取价格	High-precision non-isolated step-down switch
HM296020B	FUJIKURA	获取价格	Combination Line Connector, 2 Contact(s), Male,
HM2A0550L0100	AMPHENOL	获取价格	Interconnection Device
HM2A1000W-10R-J-250	RFE	获取价格	HIGH POWER WIRE WOUND RESISTOR HM Series: Metal-Clad, High Wattage
HM2A100W-10R-J-250	RFE	获取价格	HIGH POWER WIRE WOUND RESISTOR HM Series: Metal-Clad, High Wattage
HM2A120W-10R-J-250	RFE	获取价格	HIGH POWER WIRE WOUND RESISTOR HM Series: Metal-Clad, High Wattage
HM2A150W-10R-J-250	RFE	获取价格	HIGH POWER WIRE WOUND RESISTOR HM Series: Metal-Clad, High Wattage

与HM2907A相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

22
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

21
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

47
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

39

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

HM2907A

HM2907A 技术参数

HM2907A 数据手册

与HM2907A相关器件

与HM2907A相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

HM2907A

HM2907A 技术参数

HM2907A 数据手册

与HM2907A相关器件

与HM2907A相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？