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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.87 |
| 最长访问时间： | 320 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-XDIP-T18 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 4096 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 4 | 端子数量： | 18 |
| 字数： | 1024 words | 字数代码： | 1000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 1KX4 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | CERAMIC |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP18,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 筛选级别： | 38535Q/M;38534H;883B |
| 最大待机电流： | 0.000025 A | 最小待机电流： | 2 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.014 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HM1-6514-9 | INTERSIL |
获取价格 |
1024 x 4 CMOS RAM |
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| HM1-6514-9+ | RENESAS |
获取价格 |
IC,SRAM,1KX4,CMOS,DIP,18PIN,CERAMIC |
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| HM1-6514B/883 | INTERSIL |
获取价格 |
1024 x 4 CMOS RAM |
|
| HM1-6514B-8 | RENESAS |
获取价格 |
HM1-6514B-8 |
|
| HM1-6514B-9 | INTERSIL |
获取价格 |
1024 x 4 CMOS RAM |
|
| HM1-6514S/883 | INTERSIL |
获取价格 |
1024 x 4 CMOS RAM |
|
| HM1-6514S-2 | RENESAS |
获取价格 |
IC,SRAM,1KX4,CMOS,DIP,18PIN,CERAMIC |
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| HM1-6514S-8 | RENESAS |
获取价格 |
IC,SRAM,1KX4,CMOS,DIP,18PIN,CERAMIC |
|
| HM1-6514S-9 | INTERSIL |
获取价格 |
1024 x 4 CMOS RAM |
|
| HM1-6514S-9+ | RENESAS |
获取价格 |
IC,SRAM,1KX4,CMOS,DIP,18PIN,CERAMIC |
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