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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIP | 包装说明： | CERAMIC, DIP-16 |
| 针数： | 16 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | 3A001.A.2.C | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.57 | 最长访问时间： | 180 ns |
| 其他特性： | LOW POWER STANDBY MODE; TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS | JESD-30 代码： | R-GDIP-T16 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 1024 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 1 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 16 | 字数： | 1024 words |
| 字数代码： | 1000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 1KX1 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | NO | 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP16,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 筛选级别： | 38535Q/M;38534H;883B |
| 最大待机电流： | 0.000005 A | 最小待机电流： | 2 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.0079 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HM1-6508B883 | INTERSIL |
获取价格 |
1024 x 1 CMOS RAM |
|
| HM1-6508B-9 | RENESAS |
获取价格 |
1KX1 STANDARD SRAM, 180ns, CDIP16 |
|
| HM-165102-10-8A | MACOM |
获取价格 |
Label format - Old format order code cross reference |
|
| HM1-6512-8 | RENESAS |
获取价格 |
IC,SRAM,64X12,CMOS,DIP,18PIN,CERAMIC |
|
| HM1-6514/883 | INTERSIL |
获取价格 |
1024 x 4 CMOS RAM |
|
| HM1-6514/883 | ROCHESTER |
获取价格 |
Standard SRAM, 1KX4, 320ns, CMOS, CDIP18 |
|
| HM1-6514-2 | RENESAS |
获取价格 |
HM1-6514-2 |
|
| HM1-6514-8 | RENESAS |
获取价格 |
IC,SRAM,1KX4,CMOS,DIP,18PIN,CERAMIC |
|
| HM1-6514-8 | ROCHESTER |
获取价格 |
Standard SRAM, 1KX4, 320ns, CMOS, CDIP18 |
|
| HM1-6514-9 | INTERSIL |
获取价格 |
1024 x 4 CMOS RAM |
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