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HM065789F-2/883

更新时间： 2024-09-30 21:21:43

品牌	Logo	应用领域
TEMIC		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	107K
描述
Standard SRAM, 16KX4, 20ns, CMOS,

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HM065789F-2/883 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.66	最长访问时间：	20 ns
JESD-30 代码：	R-XUUC-N24	内存密度：	65536 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	4
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	24	字数：	16384 words
字数代码：	16000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	16KX4	输出特性：	3-STATE
可输出：	YES	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIE	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	UNCASED CHIP	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Not Qualified	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	UPPER	Base Number Matches：	1

HM065789F-2/883 数据手册

MATRA MHS

HM 65789

16 K × 4 High Speed CMOS SRAM with Output Enable

Introduction

The HM 65789 is a high speed CMOS static RAM Easy memory expansion is provided by an active low chip

organized as 16384 × 4 bits. It is manufactured using select (CS), an active low output enable (OE) and three

MHS’s high performance CMOS technology.

state drivers.

All inputs and outputs of the HM 65789 are TTL

compatible and operate from single 5 V supply thus

simplifying system design.

Access times as fast as 15 ns are available with maximum

power consumption of only 633 mW.

The HM 65789 features fully static operation requiring no

external clocks or timing strobes. The automatic

power-down feature reduces the power consumption by

60 % when the circuit is deselected.

The HM 65789 is 100 % processed following the test

methods of MIL STD 883 and/or ESA/SCC 9000 making

it ideally suitable for military/space applications that

demand superior levels of performance and reliability.

Features

D Fast access time

D 300 mils width package

D TTL compatible inputs and outputs

D Asynchronous

Commercial : 15/20/25/35/45 ns

Industrial/military : 20/25/35/45/55 ns

D Low power consumption

Active : 267 mW (typ)

D Capable of withstanding greater than 2000 V electrostatic

discharge

Standby : 75 mW (typ)

D Single 5 volt supply

D Wide temperature range :

D Output enable

–55°C to + 125°C

Interface

Block Diagram

Rev. C (19/12/94)

12 3 4 5 6 7...9

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