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HM0-65798N-2

更新时间: 2024-01-04 00:10:15
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其他 - ETC 静态存储器
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8页 429K
描述
x4 SRAM

HM0-65798N-2 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DIE,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
最长访问时间:55 nsJESD-30 代码:X-XUUC-N24
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:4功能数量:1
端口数量:1端子数量:24
字数:65536 words字数代码:64000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:64KX4
输出特性:3-STATE可输出:NO
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:DIE
封装形状:UNSPECIFIED封装形式:UNCASED CHIP
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子形式:NO LEAD端子位置:UPPER
Base Number Matches:1

HM0-65798N-2 数据手册

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