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HL6335G

更新时间： 2024-11-04 03:42:07
品牌 Logo 应用领域
OPNEXT 半导体光电
页数 文件大小 规格书
5页 107K
描述
Circular Beam Low Operating Current

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HL6335G 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：LD/G2, 3 PIN
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.02
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN PHOTO DIODE
最大正向电流：0.06 A最大正向电压：2.7 V
安装特点：THROUGH HOLE MOUNT功能数量：1
最高工作温度：50 °C最低工作温度：-10 °C
光电设备类型：LASER DIODE标称输出功率：5 mW
峰值波长：635 nm半导体材料：AlGaInP
形状：ROUND尺寸：2 mm
子类别：Laser Diodes表面贴装：NO
最大阈值电流：30 mABase Number Matches：1

HL6335G 数据手册

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HL6335G/36G  
Circular Beam Low Operating Current  
ODE-208-034 (Z)  
Rev.0  
Jul. 01, 2005  
Description  
The HL6335/36G are 0.63 µm band AlGaInP laser diodes can be operated with low operating current. These products  
were designed by self aligned refractive index (SRI) active layer structure. These are suitable as a light source for laser  
levelers, laser scanners and optical equipment for measurement.  
Features  
Package Type  
• HL6335/36G: G2  
Internal Circuit  
• HL6335G  
Internal Circuit  
• HL6336G  
•
•
•
•
•
•
•
Optical output power : 5 mW CW  
Single longitudinal mode  
1
3
1
3
Visible light power  
Low operating current : 25 mA Typ  
Low aspect ratio : 1.2 Typ  
: 635 nm Typ  
PD  
LD  
PD  
LD  
Operating temperature : +50°C  
TM mode oscillation  
2
2
Absolute Maximum Ratings  
(TC = 25°C)  
Item  
Optical output power  
Pulse optical output power  
LD reverse voltage  
Symbol  
Ratings  
Unit  
mW  
mW  
V
PO  
5
6 *  
2
PO(pulse)  
VR(LD)  
VR(PD)  
Topr  
PD reverse voltage  
30  
V
Operating temperature  
Storage temperature  
–10 to +50  
–40 to +85  
°C  
Tstg  
°C  
Note: Pulse condition : Pulse width ≤ 1 µs , duty ≤ 50%  
Optical and Electrical Characteristics  
(TC = 25°C)  
Item  
Threshold current  
Slope efficiency  
Operating current  
Operating voltage  
Symbol  
Ith  
Min  
—
Typ  
20  
Max  
30  
Unit  
Test Conditions  
mA  
—
ηs  
0.5  
—
0.8  
25  
1.1  
40  
mW/mA 3 (mW) / (I(4mW) – I(1mW))  
IOP  
VOP  
λp  
mA  
V
PO = 5 mW  
PO = 5 mW  
PO = 5 mW  
PO = 5 mW  
—
2.4  
635  
17  
2.7  
640  
25  
Lasing wavelength  
630  
13  
nm  
°
Beam divergence  
θ//  
parallel to the junction  
Beam divergence  
perpendicular to the junction  
θ⊥  
16  
20  
25  
°
PO = 5 mW  
PO = 5 mW  
Aspect ratio  
θ⊥/θ//  
—
1.2  
1.5  
—
Monitor current  
IS  
0.03  
0.07  
0.12  
mA  
PO = 5 mW, VR(PD) = 5 V  
Notes: 1. Care must be taken in laser diodes handling to prevent optical damage caused by forward surges as well as  
by ESD.  
2. The beam has 12 deg offset against the package reference plane. Please take account it mounted on a  
board.  
Rev.0 Jul. 01, 2005 page 1 of 5  
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