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HJ669A

更新时间： 2024-09-19 22:33:31

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HSMC		晶体晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
2页	25K
描述
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

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HJ669A 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.83
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

HJ669A 数据手册

Spec. No. : HE6830-A

Issued Date : 1994.01.25

Revised Date : 2000.11.01

Page No. : 1/2

HI-SINCERITY

MICROELECTRONICS CORP.

HJ669A

NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

Description

The HJ669A is designed for low frequency power amplifier.

(Ta=25°C)

Absolute Maximum Ratings

• Maximum Temperatures

Storage Temperature............................................................................................ -55 ~ +150 °C

Junction Temperature .................................................................................................... +150 °C

• Maximum Power Dissipation

Total Power Dissipation (Tc=25°C) ...................................................................................... 1 W

• Maximum Voltages and Currents

BVCBO Collector to Base Voltage.................................................................................... 180 V

BVCEO Collector to Emitter Voltage................................................................................. 160 V

BVEBO Emitter to Base Voltage........................................................................................... 5 V

IC Collector Current........................................................................................................... 1.5 A

(Ta=25°C)

Characteristics

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

Test Conditions

BVCBO

BVCEO

BVEBO

ICBO

*VCE(sat)

*VBE(on)

*hFE1

*hFE2

180

160

IC=1mA

IC=10mA

IC=1mA

1.5

200

VCB=160V

IC=500mA, IB=50mA

VCE=5V, IC=150mA

VCE=5V, IC=500mA

VCB=10V, f=1MHz, IE=0

140

MHz

Cob

*Pulse Test : Pulse Width ≤380us, Duty Cycle≤2%

Classification Of hFE1

Rank

Range

60-120

100-200

HSMC Product Specification

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