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HJ44H11

更新时间： 2024-10-29 22:15:19

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3页	32K
描述
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

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HJ44H11 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.58
最大集电极电流 (IC)：	8 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	40	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	20 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

HJ44H11 数据手册

Spec. No. : HE6005-B

Issued Date : 1994.11.09

Revised Date : 2000.11.01

Page No. : 1/3

HI-SINCERITY

MICROELECTRONICS CORP.

HJ44H11

NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

Description

The HJ44H11 is designed for various specific and general purpose

applications, such as: output and driver stages of amplifiers operat-

ing at frequencies from DC to greater than 1MHz;series, shunt and

switching regulators; low and high frequency inverters/converters;

and many others.

(Ta=25°C)

Absolute Maximum Ratings

• Maximum Temperatures

Storage Temperature............................................................................................ -55 ~ +150 °C

Junction Temperature .................................................................................................... +150 °C

• Maximum Power Dissipation

Total Power Dissipation (Tc=25°C) .................................................................................... 20 W

• Maximum Voltages and Currents

BVCEO Collector to Base Voltage...................................................................................... 80 V

BVCES Collector to Emitter Voltage ................................................................................... 80 V

BVEBO Emitter to Base Voltage........................................................................................... 5 V

IC Collector Current ............................................................................................................. 8 A

IB Base Current .................................................................................................................... 5 A

(Ta=25°C)

Characteristics

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

Test Conditions

IC=30mA, IB=0

IC=1mA, IB=0

IE=1mA, IC=0

VCB=80V, VEB=0

VEB=5V, IC=0

IC=8A, IB=0.4A

IC=8A, IB=0.8A

VCE=1V, IC=2A

VCE=1V, IC=4A

VCB=10V,

BVCEO

BVCES

BVEBO

ICES

1.5

IEBO

*VCE(sat)

*VBE(sat)

*hFE1

*hFE2

Cob

130

MHz

VCE=10V, IC=500mA, f=20MHz

*Pulse Test : Pulse Width ≤380us, Duty Cycle≤2%

HSMC Product Specification

12 3

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