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HJ3669

更新时间： 2024-09-18 22:33:31

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HSMC		晶体晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
3页	33K
描述
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

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HJ3669 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	2 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	300
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	1.25 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

HJ3669 数据手册

Spec. No. : HE6021-B

Issued Date : 1996.04.15

Revised Date : 2000.11.01

Page No. : 1/3

HI-SINCERITY

MICROELECTRONICS CORP.

HJ3953

NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

Description

High-definition CRT display video output, wide-band amp,

Features

• High fT: fT =400MHz

• High breakdown voltage: VCEO=120V (min)

• Small reverse transfer capacitance and excellent HF response

(Ta=25°C)

Absolute Maximum Ratings

• Maximum Temperatures

Storage Temperature............................................................................................ -55 ~ +150 °C

Junction Temperature .................................................................................................... +150 °C

• Maximum Power Dissipation

Total Power Dissipation (Ta=25°C) ................................................................................... 1.3 W

• Maximum Voltages and Currents

BVCEO Collector to Emitter Voltage................................................................................. 120 V

BVCBO Collector to Emitter Voltage................................................................................. 120 V

BVEBO Emitter to Base Voltage........................................................................................... 3 V

IC Collector Current (DC)............................................................................................... 200 mA

(Ta=25°C)

Characteristics

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

Test Conditions

IC=100uA, IE=0

IC=1mA, IB=0

IE=100uA, IC=0

VCB=80V, IE=0

BVCBO

BVCEO

BVEBO

ICBO

120

100

320

IEBO

VEB=2V, IC=0

*VCE(sat)

*VBE(sat)

*hFE1

*hFE2

IC=30mA, IB=3mA

VCE=10V, IC=10mA

VCE=10V, IC=100mA

VCE=10V, IC=50mA

VCB=30V, f=1MHz

400

2.1

160

MHz

Cob

*Pulse Test : Pulse Width ≤380us, Duty Cycle≤2%

Classification Of hFE1

Rank

Range

60-120

100-200

160-320

HSMC Product Specification

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