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HJ210

更新时间： 2024-01-05 11:00:28
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2页 26K
描述
PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

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HJ210 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
最大集电极电流 (IC)：5 A配置：Single
最小直流电流增益 (hFE)：10最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：12.5 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
标称过渡频率 (fT)：65 MHzBase Number Matches：1

HJ210 数据手册

 浏览型号HJ210的Datasheet PDF文件第2页 
Spec. No. : HE6011-B  
Issued Date : 1996.03.12  
Revised Date : 2000.11.01  
Page No. : 1/2  
HI-SINCERITY  
MICROELECTRONICS CORP.  
HJ210  
PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR  
Description  
The HJ210 is designed for low voltage, low-power, high-gain audio  
amplifier applications.  
(Ta=25°C)  
Absolute Maximum Ratings  
• Maximum Temperatures  
Storage Temperature............................................................................................ -55 ~ +150 °C  
Junction Temperature .................................................................................................... +150 °C  
• Maximum Power Dissipation  
Total Power Dissipation (Tc=25°C) ................................................................................. 12.5 W  
• Maximum Voltages and Currents  
BVCBO Collector to Base Voltage..................................................................................... -40 V  
BVCEO Collector to Emitter Voltage.................................................................................. -25 V  
BVEBO Emitter to Base Voltage.......................................................................................... -8 V  
IC Collector Current............................................................................................................. -5 A  
IB Base Current ................................................................................................................... -1 A  
(Ta=25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Test Conditions  
IC=-100uA, IE=0  
IC=-10mA, IB=0  
IE=-100uA, IC=0  
VCB=-40V, IE=0  
VEB=-8V, IC=0  
IC=-500mA, IB=-50mA  
IC=-2A, IB=-200mA  
IC=-5A, IB=-1A  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
ICBO  
-40  
-25  
-8  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V
V
nA  
nA  
V
V
V
V
V
-100  
-100  
-0.3  
-0.75  
-1.8  
-2.5  
-1.6  
-
180  
-
120  
-
IEBO  
*VCE(sat)1  
*VCE(sat)2  
*VCE(sat)3  
*VBE(sat)  
*VBE(on)  
*hFE1  
IC=-5A, IB=-1A  
VCE=-1V, IC=-2A  
VCE=-1V, IC=-500mA  
VCE=-1V, IC=-2A  
VCE=-2V, IC=-5A  
VCB=-10V  
70  
45  
10  
-
*hFE2  
*hFE3  
Cob  
fT  
pF  
MHz  
65  
VCE=-10V, IC=-100mA, f=10MHz  
*Pulse Test : Pulse Width ≤380us, Duty Cycle≤2%  
HSMC Product Specification  
12

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