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HJ117

更新时间： 2024-09-14 22:33:31
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3页 37K
描述
PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

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HJ117 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
最大集电极电流 (IC)：4 A配置：DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：500最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：20 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
Base Number Matches：1

HJ117 数据手册

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Spec. No. : HE6031  
Issued Date : 1998.02.01  
Revised Date : 2001.09.14  
Page No. : 1/3  
HI-SINCERITY  
MICROELECTRONICS CORP.  
HJ117  
PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR  
Description  
The HJ117 is designed for use in general purpose amplifier and low-speed  
switching applications.  
Absolute Maximum Ratings (Ta=25°C)  
• Maximum Temperatures  
Storage Temperature .......................................................................................................... -55 ~ +150 °C  
Junction Temperature .................................................................................................. +150 °C Maximum  
• Maximum Power Dissipation  
Total Power Dissipation (Tc=25°C) ................................................................................................... 20 W  
• Maximum Voltages and Currents  
BVCBO Collector to Base Voltage.................................................................................................. -100 V  
BVCEO Collector to Emitter Voltage............................................................................................... -100 V  
BVEBO Emitter to Base Voltage......................................................................................................... -5 V  
IC Collector Current (Continue) .......................................................................................................... -4 A  
IC Collector Current (Peak) ................................................................................................................ -6 A  
Characteristics (Ta=25°C)  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Test Conditions  
BVCBO  
BVCEO  
ICBO  
ICEO  
IEBO  
*VCE(sat)  
*VBE(on)  
*hFE1  
*hFE2  
Cob  
-100  
-100  
-
-
-
-
-
1
500  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-1  
-2  
-2  
-2.5  
-2.8  
-
V
V
mA  
mA  
mA  
V
IC=-1mA  
IC=-30mA  
VCB=-100V  
VCE=-50V  
VEB=-5V  
IC=-2A, IB=-8mA  
IC=-2A, VCE=-4V  
IC=-1A, VCE=-4V  
IC=-2A, VCE=-4V  
VCB=-10V, f=0.1MHz  
V
K
-
200  
pF  
*Pulse Test : Pulse Width ≤380us, Duty Cycle≤2%  
Darlington Schematic  
C
B
R1  
R2  
E
HJ117  
HSMC Product Specification  
123

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