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HMC546MS8G

更新时间： 2024-01-12 14:05:10
品牌 Logo 应用领域
HITTITE 射频和微波开关射频开关微波开关
页数 文件大小 规格书
12页 571K
描述
GaAs MMIC 10W T/R SWITCH 0.2 - 2.2 GHz

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HMC546MS8G 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：TSSOP8,.19Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.64最大插入损耗：1.5 dB
最小隔离度：8 dB安装特点：SURFACE MOUNT
功能数量：1端子数量：8
准时：0.102 µs最大工作频率：2200 MHz
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装等效代码：TSSOP8,.19
电源：3 V射频/微波设备类型：DIVERSITY SWITCH
子类别：RF/Microwave Switches表面贴装：YES
技术：GAASBase Number Matches：1

HMC546MS8G 数据手册

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HMC546MS8G / 546MS8GE  
v02.0805  
GaAs MMIC 10W T/R SWITCH  
0.2 - 2.2 GHz  
Typical Applications  
Features  
The HMC546MS8G / HMC546MS8GE is ideal for:  
• Cellular/PCS/3G Infrastructure  
High Input P0.1 dB: +40 dBm Tx  
Low Insertion Loss: 0.4 dB  
High IIP3: +65 dBm  
• Private Mobile Radio and Public Safety Handsets  
• Automotive Telematics  
Positive Control: 0/+3V to 0/+8V  
General Description  
Functional Diagram  
The HMC546MS8G & HMC546MS8GE are low-cost  
SPDT switches in 8-lead MSOP8G surface mount  
packagesforuseintransmit-receiveapplicationswhich  
require very low distortion at high signal power levels,  
up to 10 watts. The device can control signals from  
200 - 2200 MHz* and is especially suited for cellular  
booster, PMR and automotive telematic applications.  
The design provides exceptional P0.1 dB of +40 dBm  
and +65 dBm IIP3 on the Transmit (Tx) port. On-chip  
circuitry allows single positive supply operation at very  
low DC current with a single control input.  
14  
Electrical Specifications, TA = +25° C, Vctl = 0/+3 Vdc, 50 Ohm System*  
Parameter  
Min.  
Typ.  
Max.  
Min.  
Typ.  
Max.  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
Frequency Range  
Insertion Loss  
216 - 222 MHz  
869 - 960 MHz  
2110 - 2170 MHz  
Tx - RFC  
RFC - Rx  
0.4  
0.4  
0.7  
0.7  
0.4  
0.5  
0.7  
0.8  
0.4  
1.1  
0.7  
1.5  
dB  
dB  
Tx - RFC  
RFC - Rx  
25  
33  
30  
40  
20  
23  
24  
30  
8
25  
12  
30  
dB  
dB  
Isolation  
Tx - RFC  
RFC - Rx  
20  
20  
25  
25  
16  
13  
dB  
dB  
Return Loss  
Input Power for 0.1 dB  
Compression  
Tx - RFC  
RFC - Rx  
37  
19  
39  
21  
37  
19  
39  
21  
38  
17.5  
>40  
19.5  
dBm  
dBm  
Tx - RFC  
Vctl = 0/+3V RFC - Rx  
Tx - RFC  
60  
31  
60  
57  
66  
32  
66  
48  
67  
31  
67  
43  
dBm  
dBm  
dBm  
dBm  
Input Third Order Intercept  
(Two-tone input power =  
+19 dBm each tone)  
Vctl = 0/+5V RFC - Rx  
tRISE, tFALL (10/90% RF)  
tON, (50% CTL to 90% RF)  
tOFF (50% CTL to 10% RF)  
21  
102  
36  
21  
102  
36  
21  
102  
36  
ns  
ns  
ns  
Switching Characteristics  
* Specifications and data reflect HMC546MS8G measured using the respective application circuits for each designated frequency band found herein  
For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:  
20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373  
Order On-line at www.hittite.com  
14 - 306  
1234567...12

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
HMC546MS8G_10 HITTITE GaAs MMIC 20W FAILSAFE SWITCH 0.2 - 2.2 GHz

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HMC546MS8GE HITTITE GaAs MMIC 10W T/R SWITCH 0.2 - 2.2 GHz

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