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HL6411G

更新时间： 2024-02-13 11:16:16

品牌	Logo	应用领域
日立 - HITACHI		光电半导体
页数	文件大小	规格书
4页	68K
描述
Laser Diode, 633nm

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HL6411G 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.69
其他特性：	HIGH RELIABILITY	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN PHOTO DIODE
JESD-609代码：	e0	安装特点：	THROUGH HOLE MOUNT
功能数量：	1	最高工作温度：	40 °C
最低工作温度：	-10 °C	光电设备类型：	LASER DIODE
标称输出功率：	3 mW	峰值波长：	633 nm
半导体材料：	AlGaInP	形状：	ROUND
尺寸：	2 mm	子类别：	Laser Diodes
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
最大阈值电流：	70 mA	Base Number Matches：	1

HL6411G 数据手册

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与HL6411G相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HL6420F	FOXCONN	Board Connector, 40 Contact(s), 2 Row(s), Male, Straight, Press Fit Terminal, Plug, ROHS C	获取价格
HL6420V	FOXCONN	Board Connector, 40 Contact(s), 2 Row(s), Male, Straight, Press Fit Terminal, Plug, ROHS C	获取价格
HL6501MG	OPNEXT	Visible High Power Laser Diode	获取价格
HL6503MG	HITACHI	Visible High Power Laser Diode for DVD-RAM	获取价格
HL6504FM	HITACHI	Visible High Power Laser Diode for DVD-RAM	获取价格
HL-6506E5.1OHM5%E	VISHAY	Fixed Resistor, Wire Wound, 65W, 5.1ohm, 5% +/-Tol, -50,50ppm/Cel,	获取价格

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