是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | LD/G2, 3 PIN | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.02 | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN PHOTO DIODE |
最大正向电流: | 0.06 A | 最大正向电压: | 2.7 V |
JESD-609代码: | e0 | 安装特点: | THROUGH HOLE MOUNT |
功能数量: | 1 | 最高工作温度: | 50 °C |
最低工作温度: | -10 °C | 光电设备类型: | LASER DIODE |
标称输出功率: | 5 mW | 峰值波长: | 635 nm |
半导体材料: | AlGaInP | 形状: | ROUND |
尺寸: | 2 mm | 子类别: | Laser Diodes |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
最大阈值电流: | 30 mA | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
HL6335G/36G | ETC |
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HL6336G | HITACHI | Circular Beam Low Operating Current |
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HL6336G | OPNEXT | Circular Beam Low Operating Current |
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HL6339G | RENESAS | 633nm, LASER DIODE, LD/G2, 3 PIN |
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HL6339G | HITACHI | 633nm Lasing Laser Diode |
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HL6339G/42G | ETC |
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