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3SK290

更新时间: 2024-02-20 19:00:01
品牌 Logo 应用领域
日立 - HITACHI 晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
9页 92K
描述
Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET

3SK290 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数:4Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.27
外壳连接:SOURCE配置:SINGLE
最大漏极电流 (ID):0.025 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):0.03 pF最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:R-PDSO-G4元件数量:1
端子数量:4工作模式:DUAL GATE, ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp):17 dB认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

3SK290 数据手册

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3SK290  
Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET  
ADE-208-271  
1st. Edition  
Application  
UHF RF amplifier  
Features  
·
Low noise figure.  
NF = 2.3 dB Typ. at f = 900 MHz  
High gain.  
·
PG = 19.3 dB Typ. at f = 900 MHz  
Outline  
CMPAK–4  
2
3
1
1. Source  
2. Gate1  
3. Gate2  
4. Drain  
4

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