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2SK1070

更新时间: 2024-02-25 01:25:02
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日立 - HITACHI 晶体小信号场效应晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
5页 27K
描述
Silicon N-Channel Junction FET

2SK1070 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.47配置:SINGLE
最大漏极电流 (ID):0.05 AFET 技术:JUNCTION
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e6
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3工作模式:DEPLETION MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):0.15 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin/Bismuth (Sn/Bi)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:20
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON

2SK1070 数据手册

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2SK1070  
Silicon N-Channel Junction FET  
Application  
Low frequency / High frequency amplifier  
Outline  
MPAK  
3
1
1. Drain  
2. Source  
3. Gate  
2

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