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2SJ588

更新时间: 2024-01-09 15:56:21
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日立 - HITACHI 晶体开关小信号场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 29K
描述
Silicon P Channel MOS FET High Speed Switching

2SJ588 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:SPAK-3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.38Is Samacsys:N
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (ID):0.1 A最大漏源导通电阻:7.9 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSIP-T3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
极性/信道类型:P-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SJ588 数据手册

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2SJ588  
Silicon P Channel MOS FET  
High Speed Switching  
ADE-208-802 (Z)  
1st.Edition.  
June 1999  
Features  
Low on-resistance  
RDS =2.8 typ. (VGS = -10 V , ID = -50 mA)  
RDS =5.7 typ. (VGS = -4 V , ID = -50 mA)  
4 V gate drive device.  
Outline  
SPAK  
D
3
1
2
3
2
G
1. Source  
2. Drain  
3. Gate  
1
S

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