2SJ586

更新时间： 2024-02-26 01:24:18

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日立 - HITACHI		晶体开关小信号场效应晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	44K
描述
Silicon P Channel MOS FET High Speed Switching

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2SJ586 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.37
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.1 A	最大漏极电流 (ID)：	0.1 A
最大漏源导通电阻：	8.5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SJ586

Silicon P Channel MOS FET

High Speed Switching

ADE-208-771A (Z)

2nd.Edition.

June 1999

Features

•

Low on-resistance

R_DS= 4.1 Ω typ. (V_GS= -4 V , I_D= -50 mA)

R_DS= 6.0 Ω typ. (V_GS= -2.5 V , I_D= -50 mA)

2.5 V gate drive device.

•

Small package (CMPAK)

Outline

CMPAK

1. Source

2. Gate

3. Drain

12 3 4 5 6 7 8

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2SJ587	HITACHI	Silicon P Channel MOS FET High Speed Switching	获取价格
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2SJ589	SANYO	DC / DC Converter Applications	获取价格
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2SJ590	SANYO	DC / DC Converter Applications	获取价格
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