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2SJ575

更新时间: 2024-02-26 10:02:56
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日立 - HITACHI 晶体开关小信号场效应晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 42K
描述
Silicon P Channel MOS FET High Speed Switching

2SJ575 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.37
Is Samacsys:N配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V最大漏极电流 (Abs) (ID):0.1 A
最大漏极电流 (ID):0.1 A最大漏源导通电阻:7.9 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):0.4 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SJ575 数据手册

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2SJ575  
Silicon P Channel MOS FET  
High Speed Switching  
ADE-208-740B (Z)  
3rd.Edition.  
June 1999  
Features  
Low on-resistance  
RDS =2.8 typ. (VGS = -10 V , ID = -50 mA)  
RDS =5.7 typ. (VGS = -4 V , ID = -50 mA)  
4 V gate drive device.  
Small package (MPAK)  
Outline  
MPAK  
3
1
D
2
3
2
1. Source  
2. Gate  
G
3. Drain  
1
S

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