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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SJ553

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2SJ553

更新时间： 2024-02-23 16:46:22

品牌	Logo	应用领域
日立 - HITACHI		开关电源开关
页数	文件大小	规格书
9页	59K
描述
Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

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2SJ553 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
零件包装代码：	LDPAK(S)-(1)	包装说明：	,
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.64	Is Samacsys：	N
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

2SJ553 数据手册

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2SJ553(L),2SJ553(S)

Silicon P Channel MOS FET

High Speed Power Switching

ADE-208-650B (Z)

3rd. Edition

Jun 1998

Features

•

Low on-resistance

R_DS(on)= 0.028Ω typ.

•

•

•

Low drive current.

4V gate drive devices.

High speed switching.

Outline

LDPAK

4

4

D

1

2

3

G

1

2

3

1. Gate

2. Drain

3. Source

4. Drain

S

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ553(L)	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 30A I(D) \| TO-262VAR	获取价格
2SJ553(L)\|2SJ553(S)	ETC		获取价格
2SJ553(S)	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 30A I(D) \| TO-263VAR	获取价格
2SJ553(S)-(1)	HITACHI	Transistor	获取价格
2SJ553(S)-(2)	HITACHI	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,60V V(BR)DSS,30A I(D),TO-263AB	获取价格
2SJ553L	HITACHI	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching	获取价格

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