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2SJ549L

更新时间: 2024-01-25 23:03:41
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日立 - HITACHI 晶体开关晶体管脉冲电源开关
页数 文件大小 规格书
9页 58K
描述
Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

2SJ549L 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Not Recommended
零件包装代码:LDPAK(S)-(1)包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:4Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.25
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V最大漏极电流 (Abs) (ID):12 A
最大漏极电流 (ID):12 A最大漏源导通电阻:0.23 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e6湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):245
极性/信道类型:P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):48 A认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:TIN BISMUTH端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:20
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SJ549L 数据手册

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2SJ549(L),2SJ549(S)  
Silicon P Channel MOS FET  
High Speed Power Switching  
ADE-208-644A (Z)  
2nd. Edition  
Jun 1998  
Features  
Low on-resistance  
RDS(on) = 0.11 typ.  
Low drive current  
4 V gete drive devices  
High speed switching  
Outline  
LDPAK  
4
4
D
1
2
3
1
2
G
3
1. Gate  
2. Drain  
3. Source  
4. Drain  
S

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