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2SJ533

更新时间: 2024-01-21 22:39:08
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日立 - HITACHI 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关局域网
页数 文件大小 规格书
9页 55K
描述
Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

2SJ533 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Lifetime Buy零件包装代码:TO-220AB
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.2Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V最大漏极电流 (Abs) (ID):30 A
最大漏极电流 (ID):30 A最大漏源导通电阻:0.055 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e2
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):35 W最大脉冲漏极电流 (IDM):120 A
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:TIN COPPER
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SJ533 数据手册

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2SJ533  
Silicon P Channel MOS FET  
High Speed Power Switching  
ADE-208-649B (Z)  
3rd. Edition  
Jun 1998  
Features  
Low on-resistance  
RDS(on) = 0.028typ.  
Low drive current.  
4V gate drive devices.  
High speed switching.  
Outline  
TO–220CFM  
D
G
1
2
3
1. Gate  
2. Drain  
S
3. Source  

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