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2SJ531

更新时间: 2024-02-16 05:44:02
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日立 - HITACHI 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关局域网
页数 文件大小 规格书
9页 53K
描述
Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

2SJ531 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Lifetime Buy零件包装代码:TO-220AB
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.33Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V最大漏极电流 (Abs) (ID):18 A
最大漏极电流 (ID):18 A最大漏源导通电阻:0.11 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e2
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):30 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):72 A认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:TIN COPPER端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SJ531 数据手册

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2SJ531  
Silicon P Channel MOS FET  
High Speed Power Switching  
ADE-208-646A (Z)  
2nd. Edition  
Jun 1998  
Features  
Low on-resistance  
RDS(on) = 0.050typ.  
Low drive current.  
4V gate drive devices.  
High speed switching.  
Outline  
TO–220CFM  
D
G
1
2
3
1. Gate  
2. Drain  
3. Source  
S

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